[发明专利]微流体操控装置及其操作方法

权利要求书

1.一种微流体操纵装置，包含：

一流道；以及

一光导材料层，当具有一特定光图样的一光线射向该光导材料层时，该光导材料层根据该特定光图样形成至少三虚拟电极，其中该至少三虚拟电极包含一第一虚拟电极、一第二虚拟电极及一第三虚拟电极，该第二虚拟电极与该第三虚拟电极位于该第一虚拟电极的两侧，并且在该第一虚拟电极与该第三虚拟电极的间距、该第一虚拟电极的宽度、该第一虚拟电极与该第二虚拟电极的间距及该第二虚拟电极的宽度之间，具有一特定比例；

其中，当该特定光图样发生一变化时，该至少三虚拟电极亦随该变化改变而产生一电渗透力，由此操控一微流体在该流道内的运动状态。

2.如权利要求1所述的微流体操纵装置，采用一光电渗透流(Electro-Osmotic Flow，EOF)机制，通过改变光图样的位置来调整在该光导材料层上所形成的该至少三虚拟电极的成形比例，以操控该微流体。

3.如权利要求1所述的微流体操纵装置，其中该第一虚拟电极与该第三虚拟电极的间距(G1)、该第一虚拟电极的宽度(W1)、该第一虚拟电极与该第二虚拟电极的间距(G2)及该第二虚拟电极的宽度(W2)之间的该特定比例为1∶5∶1∶3。

4.如权利要求1所述的微流体操纵装置，在不改变电压及频率的条件下，该微流体操纵装置操控该微流体中的粒子的运动方向或旋转方向，致使该微流体形成趋动、混合、集中、分离及漩涡的运动状态。

5.如权利要求1所述的微流体操纵装置，其中该光导材料层由电阻值随光变化的物质构成，该光导材料层可为电荷产生层材料TiOPc(TitaniumOxide Phthalocyanine)、非晶硅(amorphous silicon，a-Si)或聚合物(polymer)。

6.一种微流体操纵装置操作方法，应用于一微流体操纵装置，该微流体操纵装置包含一流道及一光导材料层，该微流体操纵装置操作方法包含下列步骤：

(a)当具有一特定光图样的一光线射向该光导材料层时，该光导材料层根据该特定光图样形成至少三虚拟电极；以及

(b)当该特定光图样发生一变化时，该至少三虚拟电极亦随该变化改变而产生一电渗透力，由此操控一微流体在该流道内的运动状态；

其中，该至少三虚拟电极包含一第一虚拟电极、一第二虚拟电极及一第三虚拟电极，该第二虚拟电极与该第三虚拟电极位于该第一虚拟电极的两侧，并且在该第一虚拟电极与该第三虚拟电极的间距、该第一虚拟电极的宽度、该第一虚拟电极与该第二虚拟电极的间距及该第二虚拟电极的宽度之间，具有一特定比例。

7.如权利要求6所述的微流体操纵装置操作方法，采用一光电渗透流(Electro-Osmotic Flow，EOF)机制，通过改变光图样的位置来调整在该光导材料层上所形成的该至少三虚拟电极的成形比例，以操控该微流体。

8.如权利要求6所述的微流体操纵装置操作方法，其中该第一虚拟电极与该第三虚拟电极的间距(G1)、该第一虚拟电极的宽度(W1)、该第一虚拟电极与该第二虚拟电极的间距(G2)及该第二虚拟电极的宽度(W2)之间的该特定比例为1∶5∶1∶3。

9.如权利要求6所述的微流体操纵装置操作方法，在不改变电压及频率的条件下，该微流体操纵装置操控该微流体中的粒子的运动方向或旋转方向，致使该微流体形成趋动、混合、集中、分离及漩涡的运动状态。

10.如权利要求6所述的微流体操纵装置操作方法，其中该光导材料层由电阻值随光变化的物质构成，该光导材料层可为电荷产生层材料TiOPc(Titanium Oxide Phthalocyanine)、非晶硅(amorphous silicon，a-Si)或聚合物(polymer)。