[发明专利]平面高压晶体管的分压环的制造方法及其结构

权利要求书

1.一种平面高压晶体管的分压环制造方法，其特征在于平面晶体管的主结和分压环在不同的工序中形成。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)采用扩散工艺在N层形成平面高压晶体管的主结；

(2)对平面高压晶体管的SIO2层进行光刻刻蚀，在SIO2层形成分压环窗口；

(3)对平面高压晶体管的分压环窗口进行氧化；

(4)在平面高压晶体管的分压环窗口注入小剂量硼；

(5)对平面高压晶体管的分压环窗口进行注入退火，形成分压环。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于可以形成一个分压环，也可以同时形成数个分压环。

4.如权利要求2所述方法，其特征在于所述分压环每平方厘米注入1E12～1E13个硼离子。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)对平面高压晶体管的SIO2层进行光刻刻蚀，形成主结窗口、分压环窗口；

(2)对平面高压晶体管的主结窗口、分压环窗口予氧化；

(3)平面高压晶体管的主结窗口、分压环窗口每平方厘米注入1E12～1E13个硼离子；

(4)对平面高压晶体管的主结窗口进行光刻；

(5)在平面高压晶体管的主结窗口每平方厘米注入1E14～1E15个硼离子；

(6)去除平面高压晶体管的分压环窗口和其他区域的光刻胶；

(7)平面高压晶体管的主结窗口、分压环窗口进行注入退火，形成主结和分压环。

6.如权利要求5所述方法，其特征在于可以形成一个分压环，也可以同时形成数个分压环。

7.平面高压晶体管的分压环结构，其特征在于在N层中，包括一个或数个分压环、一个主结，所述分压环与主结的环间距通常在(8～20)um。

8.如权利要求7所述平面高压晶体管的分压环结构，其特征在于所述分压环与主结的间距比主结结深大2～10um。

9.如权利要求8所述平面高压晶体管的分压环结构，其特征在于所述分压环结深小于主结结深的50％，分压环的掺杂浓度小于主结掺杂浓度的10％。

10.如权利要求7所述平面高压晶体管的分压环结构，其特征在于所述分压环的个数根据产品的耐压要求决定，当分压环多于一个时，各分压环之间的间距6um～15um。