[发明专利]LED芯片结构无效
| 申请号： | 201010270078.7 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101964387A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 柳翠;唐健 | 申请（专利权）人： | 柳翠;唐健 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 201102 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片结构，其特征在于：包括衬底(1)、覆盖在所述衬底(1)正面一侧的N型层(2)、与所述N型层(2)电连接的第一引出电极(3)、覆盖在所述N型层(2)正面一侧的P型层(4)、覆盖在所述P型层(4)正面一侧的透明导电膜(5)以及与所述透明导电膜(5)电连接的第二引出电极(6)，所述衬底(1)反面一侧覆盖有反射及红外透过滤光片(7)；所述反射及红外透过滤光片(7)对所述LED芯片发出的光的波段具有高反射和红外透过效果。
2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述透明导电膜(5)为至少可供部分红外波段透过的膜系。
3.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于：所述透明导电膜(5)为Zn(Al)O系列、Zn(Ga)O系列或Zn(B)O系列膜系。
4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于：所述反射及红外透过滤光片(7)为主要由折射率不等的至少两种透明氧化物膜或透明氟化物膜构成的增反膜。
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