[发明专利]改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法无效
| 申请号： | 201010270127.7 | 申请日： | 2010-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386096A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;罗啸;吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 ldmos 性能 一致性 稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LDMOS性能一致性和稳定性的方法；其特征在于，在高能和低能注入之间，通过利用等离子体刻蚀调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：
步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；
步骤二、高能离子注入；
步骤三、利用离子体刻蚀扩大光刻胶窗口；
步骤四、低能离子注入；
步骤五、去光刻胶。
2.一种LDMOS性能一致性和稳定性的方法；其特征在于，在高能和低能注入之间，通过利用二次显影调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：
步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；
步骤二、高能离子注入；
步骤三、利用二次显影扩大光刻胶窗口；
步骤四、低能离子注入；
步骤五、去光刻胶。
3.一种改善LDMOS性能一致性和稳定性的方法；其特征在于，在高能和低能注入之间，通过光刻胶烘烤工艺调节光刻窗口的尺寸，包括以下步骤：
步骤一、利用光刻形成倒置阱注入光刻胶窗口；
步骤二、低能能离子注入；
步骤三、利用光刻胶烘烤工艺缩小光刻胶窗口；
步骤四、高能离子注入；
步骤五、去光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
