[发明专利]一种雪崩二极管的调试和补偿方法

权利要求书

1.一种雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于包含以下步骤：找寻在一个温度下需要调试的倍增因子M2，其工作过程在于：

(1)在第一输入光功率为P1时，在雪崩二极管上施加小于雪崩电压大于开启电压的偏置电压，调节所述偏置电压并且观察光电流I1，当所述光电流I1没有变化时M=1，记录此时的光电流I1；

(2)在第二输入光功率为P2时，改变所述偏置电压，观察光电流的变化情况，直至I2=( P2/ P1)*M2*I1时完成在所述温度下所述倍增因子M2的调试，记录此时的灵敏度和偏置电压；

(3)根据前面找寻步骤得到在一个温度下各个不同的倍增因子并且记录下与所述各个不同的倍增因子相对应的灵敏度和偏置电压，从而获得在一个温度下倍增因子与灵敏度、偏置电压与灵敏度之间的对应关系即关系图，在倍增因子与灵敏度的关系图中灵敏度最高点对应的是该雪崩二极管的最佳工作点，在偏置电压与灵敏度的关系图中所述灵敏度最高点对应的偏置电压是在所述最佳工作点时施加在该雪崩二极管上的电压；

(4)将所述温度与偏置电压的关系图形成温度与偏置电压的查找表，写到可读写的寄存器芯片中。

2.如权利要求1所述的雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于，还包含：在步骤(4)之前根据所述步骤(1)～(3)，分别获得在各个不同温度下倍增因子与灵敏度、偏置电压与灵敏度之间的关系图。

3.如权利要求1所述的雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于，所述的找寻在一个温度下需要调试的倍增因子M2的步骤还包含：根据公式I=RMP，其中I是可测量的光电流，R是所述雪崩二极管的响应度，M是倍增因子及P是输入光功率，在第一输入光功率为P1、M1=1时I1=RP1并且在第二输入光功率为P2时I2=RM2P2，根据I1=RP1和I2=RM2P2得到M2=( P1/ P2)*( I2/ I1)。

4.如权利要求1所述的雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于，所述步骤(4)具体工作过程包括：分别在高温、常温和低温段三段情况下，根据所述偏置电压与所述温度之间的线性关系，将表示这三段温度之间关系的两段直线Vb=a*T+b写入所述查找表中，其中Vb是偏置电压，a为斜率，T为温度及b为偏差值。

5.如权利要求1所述的雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于，所述步骤(4) 具体工作过程方法还包括：在该雪崩二极管的温度系数指标TC恒定的情况下，按照步骤(1)～(3)获得在温度为T0时倍增因子与灵敏度、偏置电压与灵敏度之间的关系图，找出灵敏度最高点对应的偏置电压Vb，根据温度T时灵敏度最高点对应的偏置电压Vbt与温度T0时灵敏度最高点对应的偏置电压Vb的关系式Vbt=Vb+(T-T0)*TC得出Vbt，并且将所述关系式写入查找表中。

6.如权利要求1所述的雪崩二极管的调试和补偿方法，其特征在于，该雪崩二极管的具体补偿方法是：根据前述可读写的寄存器芯片里做成的各温度与偏置电压的所述查找表，来对所述M因子进行补偿。