[发明专利]柱撑水滑石及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010270630.2 申请日: 2010-09-02
公开(公告)号: CN101913570A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 陈春霞;赵汉青;彭进松;许茸 申请(专利权)人: 东北林业大学
主分类号: C01B13/14 分类号: C01B13/14;C01G41/00;C01F7/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150040 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 柱撑水 滑石 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及水滑石及其制备方法。

背景技术

层状双氢氧化物又称为水滑石(layered double hydroxides,简写为LDHs),是由金属双氢氧化物组成带正电荷的层板主体、层板间填充着阴离子客体、主-客体间通过超分子作用力(静电力和氢键)结合而成的一类层柱晶体,这种独特的结构赋予它许多特殊的性质,如碱性、酸性、热稳定性、记忆效应等。这些特殊的性质使其成为一种在吸附、离子交换、催化和功能助剂等方面具有巨大潜力的新型无机功能材料,受到人们的广泛关注。现有的柱撑水滑石的层间阴离子多为无机阴离子,因为水滑石中含有-OH,易形成氢键,进而缩合产生硬团聚,致使因水滑石易团聚而使柱撑水滑石的应用受到限制,且现有的制备柱撑水滑石的方法的合成时间一般为在10小时以上,合成时间长。

发明内容

本发明是为了解决现有的柱撑水滑石的易团聚及制备方法合成时间长的问题,而提供柱撑水滑石及其制备方法。

本发明的柱撑水滑石,水滑石的分子通式为:[M2+1-xM3+x(OH)2]x+[An-]x/n·zH2O,其中层板主体M2+为Mg2+、Ni2+、Zn2+、Co2+、Cd2+、Cu2+或Mn2+,层板主体M3+为Al3+、Fe3+、Cr3+、Ga3+或Co3+,层间阴离子An-为WO42-、B4O72-、SiO32-、(PO3)66-、PO43-、C6H5SO3-、C2O42-、C4H4O62-、C6H5O73-或H5P(W2O7)82-;0.20≤x≤0.34,n为层间阴离子An-的电荷数,结晶水的数值z=1-3x/2+d,其中d=0.125。

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