[发明专利]一种具有背注增强结构的IGBT及其制造方法

权利要求书

1.一种具有背注增强结构的IGBT，包括：集电极、P+型集电极区、N-型漂移区、第一体区、第二体区、第一N+型发射极区、第二N+型发射极区、栅氧化层、栅极、绝缘层、发射极；

器件从底层往上依次为集电极、P+型集电极区、N-型漂移区；所述N-型漂移区上部依次为第一体区、第二体区，第一体区与第二体区被N-型漂移区突出的部分隔离开；第一N+型发射极区与第一体区较薄部分相连、第二N+型发射极区与第二体区较薄部分相连；栅氧化层与N-型漂移区突出的部分、第一体区较薄部分、第二体区较薄部分、第一N+型发射极区、第二N+型发射极区相连；栅极与栅氧化层相连；绝缘层位于栅极与发射极之间；发射极分别与第一体区、绝缘层、第二体区相连；

其特征在于：N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面设有凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。

2.如权利要求1所述的具有背注增强结构的IGBT，其特征在于：所述凸凹结构的形状为梯形、扇形或矩形。

3.如权利要求1所述的具有背注增强结构的IGBT，其特征在于：所述第一体区包括：第一P型体区、第一P+型体接触区，所述第一P型体区比第一P+型体接触区厚度小；所述第二体区包括：第二P型体区、第二P+型体接触区，所述第二P型体区比第二P+型体接触区厚度小。

4.一种具有背注增强结构的IGBT的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、利用干法氧化在N-型漂移区上生长形成栅氧化层；在栅氧化层上垫积多晶硅并对多晶硅进行刻蚀形成栅极；利用多晶硅栅的自对准作用进行P型体区的离子注入；并通过掩膜版形成P+型体接触区的离子注入；利用N+掩膜版离子注入形成N+型发射极区；在栅极上垫积绝缘层；在绝缘层及P+型体接触区上垫积金属形成发射极；

b、将N-型漂移区刻蚀成凸凹结构；对N-型漂移区的凸凹面进行离子注入，形成具有凸凹结构的P+型集电极区；对P+型集电极区进行金属化，形成集电极。

5.如权利要求4所述的具有背注增强结构的IGBT的制造方法，其特征在于：所述IGBT为非穿通型绝缘栅双极型晶体管。

6.如权利要求4所述的具有背注增强结构的IGBT的制造方法，其特征在于：所述IGBT为沟槽栅绝缘栅双极型晶体管。