[发明专利]一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法有效
| 申请号： | 201010271183.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386057A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 舒畅;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 半导体 衬底 表面 浓度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行清洗、烘干；将所述半导体衬底表面暴露于氢气流量为F≥3000cm3/min的氛围中，保持时间T≥20分钟。
2.根据权利要求1所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1或2所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行清洗、烘干后，所述半导体衬底表面存在悬挂键，即存在未饱和的离子键。
4.根据权利要求1或2所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，所述半导体衬底清洗、烘干后置于氧化炉机台内。
5.根据权利要求1或2所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，所述清洗操作是指清洗所述半导体衬底表面的半导体工艺过程中常规的架质。
6.根据权利要求1或2所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，所述氢气流量F，3000cm3/min≤F≤5000cm3/min。
7.根据权利要求1或2所述的降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，所述保持时间T，20分钟≤T≤60分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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