[发明专利]摄像器件和摄像装置

权利要求书

1.一种摄像器件，所述摄像器件包含：

多个第一电极，所述第一电极被设置在二维空间中的基板的上面上，其中在所述第一电极中的一个和与所述这个第一电极相邻的另一个第一电极之间插入有预定间隙；

第二电极，所述第二电极被布置成紧邻于在所述第一电极中被布置在最外侧上的第一电极，其中在所述布置在最外侧上的第一电极和所述第二电极之间插入有所述的预定间隙；

第三电极，所述第三电极同时面对所述多个第一电极和所述第二电极；

光电转换层，所述光电转换层被设置在所述多个第一电极和所述第二电极和所述第三电极之间；

多个信号读取部，所述信号读取部被连接到所述多个第一电极上，并且读出与在所述光电转换层中产生并且被移动到所述多个第一电极的电荷对应的信号；和

至少一个电势调节部，所述电势调节部连接到所述第二电极上并且调节所述第二电极的电势，使得根据在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的电荷确定的所述第二电极的电势不超过预定的范围。

2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中用于读出与在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的所述电荷对应的信号的读取部没有连接到所述第二电极上。

3.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中所述信号读取部中的每一个均包括MOS晶体管电路，所述MOS晶体管电路包括：复位晶体管，所述复位晶体管被构造成使所述第一电极的电势复位；和输出晶体管，所述输出晶体管被构造成输出与在所述光电转换层中产生并且被移动至所述第一电极的空穴对应的电压信号，

其中所述MOS晶体管电路的每个晶体管均是n-沟道MOS晶体管，并且

其中所述的至少一个电势调节部调节所述第二电极的电势，使得根据在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的空穴确定的所述第二电极的电势不超过阈值。

4.根据权利要求1所述的摄像器件，

其中所述信号读取部中的每一个均包括MOS晶体管电路，所述MOS晶体管电路包括：复位晶体管，所述复位晶体管被构造成使所述第一电极的电势复位；和输出晶体管，所述输出晶体管被构造成输出与在所述光电转换层中产生并且被移动至所述第一电极的电子对应的电压信号，

其中所述MOS晶体管电路的每个晶体管均是p-沟道MOS晶体管，并且

其中所述的至少一个电势调节部调节所述第二电极的电势，使得根据在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的电子确定的所述第二电极的电势不低于阈值。

5.根据权利要求2所述的摄像器件，

其中所述信号读取部中的每一个均包括MOS晶体管电路，所述MOS晶体管电路包括：复位晶体管，所述复位晶体管被构造成使所述第一电极的电势复位；和输出晶体管，所述输出晶体管被构造成输出与在所述光电转换层中产生并且被移动至所述第一电极的空穴对应的电压信号，

其中所述MOS晶体管电路的每个晶体管均是n-沟道MOS晶体管，并且

其中所述的至少一个电势调节部调节所述第二电极的电势，使得根据在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的空穴确定的所述第二电极的电势不超过阈值。

6.根据权利要求2所述的摄像器件，

其中所述信号读取部中的每一个均包括MOS晶体管电路，所述MOS晶体管电路包括：复位晶体管，所述复位晶体管被构造成使所述第一电极的电势复位；和输出晶体管，所述输出晶体管被构造成输出与在所述光电转换层中产生并且被移动至所述第一电极的电子对应的电压信号，

其中所述MOS晶体管电路的每个晶体管均是p-沟道MOS晶体管，并且

其中所述的至少一个电势调节部调节所述第二电极的电势，使得根据在所述光电转换层中产生并且被移动到所述第二电极的电子确定的所述第二电极的所述电势不低于阈值。

7.根据权利要求1至6中任何一项所述的摄像器件，其中所述的至少一个电势调节部是直接连接所述第二电极和电源的配线。

8.根据权利要求1至6中任何一项所述的摄像器件，其中所述的至少一个电势调节部是连接到所述第二电极上的二极管连接的晶体管。

9.根据权利要求1至6中任何一项所述的摄像器件，其中所述的至少一个电势调节部是连接到所述第二电极上的二极管。