[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件，包括：

基板；

第三氮化物半导体层，具有提供在所述基板上的单层结构或多层结构；

氮化硅层，提供在所述第三氮化物半导体层上；

第一氮化物半导体层，提供在所述氮化硅层上；以及

第二氮化物半导体层，提供在所述第一氮化物半导体层上，

所述第一氮化物半导体层的至少一部分具有相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中所述第一氮化物半导体层的所述表面相对于所述氮化硅层的所述表面倾斜45°或更大且65°或更小的角度。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中所述氮化硅层和所述第一氮化物半导体层彼此接触。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层彼此接触。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中氮化物半导体缓冲层提供在所述基板和所述氮化硅层之间。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体元件，其中所述氮化物半导体缓冲层是由化学式Al_x1Ga_1-x1N(0＜x1≤1)表示的氮化物半导体形成的氮化物半导体层。

7.一种氮化物半导体元件的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成第一氮化物半导体层，该第一氮化物半导体层具有相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面；以及

在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层，以填充由该第一氮化物半导体层的每个相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面限定的间隙。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中在形成所述第二氮化物半导体层期间提供的V族元素对III族元素的摩尔比大于在形成所述第一氮化物半导体层期间提供的该V族元素对该III族元素的摩尔比。

9.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中在形成所述第一氮化物半导体层期间提供的V族元素对III族元素的摩尔比小于1000。

10.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中在形成所述第二氮化物半导体层期间提供的V族元素对III族元素的摩尔比为1000或更大。

11.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中在形成所述第一氮化物半导体层期间所述基板的温度低于在形成所述第二氮化物半导体层期间所述基板的温度。

12.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中所述第一氮化物半导体层通过提供包含氮气的气体形成。

13.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中所述第一氮化物半导体层在6.7×10⁴Pa或更高的气压下形成。

14.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中所述第一氮化物半导体层形成为所述第一氮化物半导体层的表面相对于所述氮化硅层的表面倾斜45°或更大且65°或更小的角度。

15.根据权利要求7所述的氮化物半导体元件的制造方法，其中所述氮化硅层通过提供包含氮气的气体形成。

16.一种氮化物半导体元件的制造方法，包括如下步骤：

在基板上形成相当于由化学式Al_x1Ga_1-x1N(0＜x1≤1)表示的氮化物半导体形成的氮化物半导体层的氮化物半导体缓冲层；

在所述氮化物半导体缓冲层上形成氮化物半导体下层；

在所述氮化物半导体下层上形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成第一氮化物半导体层，该第一氮化物半导体层具有相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面；以及

在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层，以填充由该第一氮化物半导体层的每个相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面限定的间隙。