[发明专利]发光装置

权利要求书

1.发光装置，其包括基底和发光元件，所述发光元件置于所述基底之上并发出一次光，

其中所述发光元件包括多个半导体层，所述半导体层包括发光层，

所述发光元件被波长变换部分覆盖，所述波长变换部分包括吸收部分一次光并发出二次光的波长变换材料，其中所述波长变换部分具有基本上均匀的厚度，并且所述波长变换材料基本上均匀地分散，

所述发光元件包括两个区域，所述两个区域为边缘部分和边缘部分内侧的区域，并且

将设置在所述发光元件的一个主表面上的光提取表面的边缘部分发出的一次光的亮度设定为高于从边缘部分内侧的区域发出的一次光的亮度。

2.权利要求1的发光装置，

其中所述两个区域由二极管形成，

所述边缘部分中的二极管与边缘部分内侧的区域中的二极管串联连接，并且

所述边缘部分中的二极管的发光层的面积小于边缘部分内侧的区域中的二极管的发光层的面积。

3.权利要求1的发光装置，

其中所述两个区域由二极管形成，并且

所述边缘部分中的二极管和边缘部分内侧的区域中的二极管可以彼此独立地电驱动。

4.权利要求1的发光装置，

其中所述两个区域由二极管形成，

在所述发光元件的另一个主表面之上，在整个所述表面之上设置电极，而在所述发光元件的所述一个主表面之上，仅在所述边缘部分设置电极。

5.权利要求1的发光装置，

其中在所述发光元件的至少一个电极中，所述边缘部分中的电极间距小于边缘部分内侧的区域中的电极间距。

6.权利要求1的发光装置，其中在所述两个区域中，所述边缘部分的电极电阻小于边缘部分内侧的区域的电极电阻。

7.权利要求6的发光装置，其中所述边缘部分的电极厚度大于边缘部分内侧的区域的电极厚度。

8.权利要求1的发光装置，其中在所述两个区域中，边缘部分内侧的区域的内电阻大于边缘部分的内电阻。

9.权利要求8的发光装置，其中对边缘部分内侧的区域进行离子注入。

10.权利要求8的发光装置，其中用掺杂剂掺杂所述边缘部分，所述边缘部分中掺杂剂的浓度高于边缘部分内侧的区域中的掺杂剂浓度。

11.权利要求1的发光装置，其中在所述两个区域中，所述边缘部分的一次光透过率大于所述边缘部分内侧的区域的一次光透过率。

12.权利要求11的发光装置，其中在所述发光元件的所述一个主表面之上，在所述边缘部分上设置介电多层膜。

13.权利要求11的发光装置，其中在所述发光元件的所述一个主表面之上，仅所述边缘部分具有不平坦的结构。

14.权利要求1的发光装置，其中通过除去生长基板来获得所述发光元件。