[发明专利]一种陶瓷管壳的烧结方法及烧结辅助装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空灭弧室用陶瓷管壳的烧结方法及烧结辅助装置，属于输变电设备的技术领域。

背景技术

真空灭弧室，又名真空开关管，是中高压电力开关的核心部件，其主要作用是通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流，避免事故和意外的发生，主要应用于电力的输配电控制系统以及冶金、矿山、石油、化工、铁路等配电系统。陶瓷管壳是真空灭弧室的关键部件之一。目前，陶瓷管壳的烧结方法是将陶瓷管壳生坯直接放置在高温隧道窑的推板上，然后根据相应的烧结工艺进行烧结，在烧结的过程中最容易产生的废品是烧结变形。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种陶瓷管壳的烧结方法，同时提供一种陶瓷管壳的烧结辅助装置，从而有效的控制烧结变形，减少废品。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案：陶瓷管壳的烧结方法。该方法是将待烧的陶瓷管壳生坯的下端放置在一个下端盖上，并在陶瓷管壳生坯的上端放置一个上端盖；通过上端盖来控制陶瓷管壳的上端烧结变形，通过下端盖来控制陶瓷管壳的下端烧结变形；然后将装有上端盖和下端盖的陶瓷管壳生坯放置在高温隧道窑的推板上，按照常规的烧结工艺进行烧结。

上述的陶瓷管壳的烧结方法中，更好的方案是将下端盖放置在一个承烧钵上；放置时，先在承烧钵的表面均匀撒一层隔离粉，然后再将下端盖放置在承烧钵上。

前述的陶瓷管壳的烧结方法中，是先在下端盖上均匀撒一层隔粘粉，然后再将陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖上。

前述的陶瓷管壳的烧结方法中，是先在上端盖上均匀粘附一层隔粘粉，然后再将上端盖放置在陶瓷管壳生坯的上端。

本发明陶瓷管壳的烧结辅助装置。其构成包括上端盖、下端盖和承烧钵，所述的下端盖放置在承烧钵上，上端盖放置在待烧的陶瓷管壳生坯的上端，陶瓷管壳生坯的下端放置在下端盖上。

上述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的上端盖带有锥度，其锥角α为0°＜α＜180°；在上端盖的中心开有孔，其孔径D_A为0mm＜D_A＜100mm；上端盖的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径R_A为0～50mm；在上端盖上设有环形沟槽，在环形沟槽内有隔粘粉；待烧的陶瓷管壳生坯的上端放置在环形沟槽内。

前述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的下端盖带有锥度，其锥角β为0°＜β＜180°；下端盖的内表面采用圆弧连接，其圆弧半径R_B为0～50mm；下端盖的中心为平台，平台直径D_B为0～50mm；在下端盖上设有环形台阶和环形平面，在环形平面上撒有隔粘粉；陶瓷管壳生坯的下端装在环形台阶的外面并放置在环形平面上。

前述的陶瓷管壳的烧结辅助装置中，所述的承烧钵的底面为平底，表面为锥面，其锥角γ为0°＜γ＜180°；承烧钵的中心为平台，平台直径D_C为0～50mm；在承烧钵的表面撒有隔离粉。

本发明的有益效果：与现有技术相比，为了有效的控制陶瓷管壳的烧结变形，本发明采用独具特点的上、下端盖以及承烧鉢作为辅助烧结装置，将待烧的陶瓷管壳生坯放置在上、下端盖以及承烧鉢中，通过上端盖来控制陶瓷管壳的上端烧结变形，通过下端盖和承烧鉢来控制陶瓷管壳的下端烧结变形，使陶瓷管壳的烧结变形有效地控制在2％以内，很好的控制了陶瓷管壳的烧结变形，大大减少了废品，提高了产品的质量，而且产品的一致性较好。

附图说明

图1是本发明的烧结辅助装置结构示意图；

图2是烧结辅助装置的上端盖结构示意图；

图3是烧结辅助装置的下端盖结构示意图；

图4是烧结辅助装置的承烧钵结构示意图。

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明。

具体实施方式-----隔离粉和隔粘粉可以是钢玉砂粉、氧化铝粉或氧化锆等等。