[发明专利]形成电子器件的方法

权利要求书

1.一种形成电子器件的方法，所述方法包括：

(a)提供包括一层或更多层要被图形化的层的半导体衬底；

(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开口；

(c)用能够有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形；

(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；

(e)在该光刻胶图形的第一多个开口中施加组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂；

(e)将该层暴露于使该酸产生剂产生酸的环境；以及

(f)用显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层。

2.根据权利要求1的方法，其中该层是光敏的，该酸产生剂是光酸产生剂且使该酸产生剂产生酸的条件包括暴露该层于激发辐射。

3.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤形成第二多个开口，其中该第二多个开口以由第一多个开口限定的体积(volume)设置在该层中，且具有比第一多个开口更小的直径。

4.根据权利要求3的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤去除该光刻胶图形，且由该层形成多个环形图形。

5.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤在光刻胶图形中形成第二多个开口，其中该第二多个开口对应于第一多个开口间隔设置。

6.根据权利要求2的方法，其中使显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层的步骤去除该光刻胶图形，且由该层形成多个柱形图形。

7.根据权利要求2的方法，其中曝光该层的步骤为浸没曝光。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括在用能够有效形成碱性化的处理步骤之后且在施加该组合物层的步骤之前热处理该硬烘烤的第一光刻胶图形。

9.一种涂覆的衬底，所述衬底包括：

(a)包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；

(b)在该要被图形化的一层或更多层上的光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开口且具有碱性表面；以及

(c)在该光刻胶图形的该第一多个开口中的组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂。

10.根据权利要求9的涂覆的衬底，其中该层是光敏的且该酸产生剂是光酸产生剂。