[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

封装主体；

在所述封装主体的表面上的绝缘层；

在所述绝缘层上的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层彼此间隔开；

设置在所述封装主体上并与所述第一电极层和所述第二电极层电连接的发光二极管；

与所述第一电极层连接的电阻器层；

在所述封装主体内部的第一掺杂区中的第一元件部，所述第一元件部与所述电阻器层连接以将从所述电阻器层输入的电源输出；

在所述封装主体内部的第二掺杂区中的第二元件部，所述第二元件部与所述发光二极管连接以将从所述电阻器层输入的电源输出；以及

与所述第一元件部和所述第二元件部连接的第三电极层，所述第三电极层的电位低于所述第一电极层和所述第二电极层的电位。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一元件部和所述第二元件部各自包括晶体管。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一元件部包括在所述封装主体内部的所述第一掺杂区中的第二导电型第一阱；在所述第一阱内部的第一导电型第二阱；和在所述第一阱内部与所述第二阱间隔开的第一导电型第三阱，

所述第一阱和所述第二阱与所述电阻器层的输出侧连接，和

所述第三阱与所述第三电极层连接。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一元件部包括：在所述封装主体内部的所述第二掺杂区中的第二导电型第一阱；在所述第一阱内部的第一导电型第二阱；和在所述第一阱内部与所述第二阱间隔开的第一导电型第三阱，

所述第一阱与所述电阻器层的输出侧连接，和

所述第二阱与所述发光二极管的阴极连接。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一元件部包括其中阳极与所述电阻器层连接并且阴极与所述第三电极层连接的二极管，并且所述第二元件部包括晶体管。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述封装主体包括硅衬底。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电型是P型阱区，所述第二导电型是N型阱区。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三电极层包括接地端子。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述封装主体上具有开口上侧和预定深度的腔，

其中所述发光二极管、所述第一电极层和所述第二电极层设置在所述腔的底表面上。

10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述发光二极管上的树脂材料。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述树脂材料中添加磷光体。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光二极管设置在所述封装主体的上表面上，并且所述第一元件部和所述第二元件部设置在与所述封装主体的上表面相反的表面上。

13.一种发光器件，包括：

封装主体；

在所述封装主体的表面上的绝缘层；

在所述绝缘层上的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层彼此间隔开；

在所述封装主体内部的掺杂区中的元件部，所述元件部与所述第一电极层或所述第二电极层中的至少其一连接；和

设置在所述封装主体上并与所述第一电极层或所述第二电极层中的至少其一连接的发光二极管；

其中所述元件部包括第二导电型第一阱以及第一导电型第二阱和第一导电型第三阱，所述第二阱和所述第三阱在所述第一阱内部彼此电隔离。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述封装主体包括在彼此间隔开的多个掺杂区中的多个元件部。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述元件部包括NPN型或PNP型场效应晶体管(FET)。

16.根据权利要求13所述的发光器件，还包括在所述元件部和所述第一电极层之间的电阻器层。

17.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述电阻器层包括金属氮化物层、多晶硅电阻器、热电阻器和带线中的至少一种。

18.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述电阻器层的电阻等于所述发光二极管的两端的电阻。