[发明专利]双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装方法

说明书

(一)技术领域

本发明涉及一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装方法。属于半导体封装技术领域。

(二)背景技术

传统的芯片封装结构的制作方式是：采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图43所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行蚀刻。该法存在以下不足：

因为塑封前只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只有包裹住引脚半只脚的高度，所以塑封体与引脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图44所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越硬越脆越容易产生裂缝。

另外，由于芯片与引脚之间的距离较远，金属线的长度较长，如图45～46所示，金属线成本较高(尤其是昂贵的纯金质的金属线)；同样由于金属线的长度较长，使得芯片的信号输出速度较慢(尤其是存储类的产品以及需要大量数据的计算，更为突出)；也同样由于金属线的长度较长，所以在金属线所存在的寄生电阻/寄生电容与寄生电杆对信号的干扰也较高；再由于芯片与引脚之间的距离较远，使得封装的体积与面积较大，材料成本较高，废弃物较多。

(三)发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种不会再有产生掉脚的问题和能使金属线的长度缩短的双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装方法。

本发明的目的是这样实现的：一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装方法，所述方法包括以下工艺步骤：

步骤一、取金属基板

取一片厚度合适的金属基板，

步骤二、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜

利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的电镀金属层工艺作业，

步骤三、金属基板正面的光阻胶膜进行需要电镀金属层区域的曝光/显影以及开窗

利用曝光显影设备将步骤二完成光阻胶膜被覆作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀金属层的区域，

步骤四、金属基板正面已开窗的区域进行金属层电镀被覆

对步骤三中金属基板正面已开窗的区域进行第一金属层电镀被覆，该第一金属层置于所述基岛与引脚的正面，

步骤五、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜

将金属基板正面余下的光阻胶膜以及金属基板背面的光阻胶膜全部揭除，

步骤六、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜

利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的蚀刻工艺作业，

步骤七、金属基板背面的光阻胶膜进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗

利用曝光显影设备将步骤六完成光阻胶膜被覆作业的金属基板背面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以露出局部金属基板以备后续需要进行的金属基板背面蚀刻作业，

步骤八、金属基板进行背面蚀刻作业

完成步骤七的曝光/显影以及开窗作业后，即在金属基板的背面进行各图形的蚀刻作业，蚀刻出基岛和引脚的背面，同时将引脚正面尽可能的延伸到基岛旁边，

步骤九、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜

将金属基板正面和背面余下的光阻胶膜全部揭除，

步骤十、包封无填料的塑封料(环氧树脂)

将已完成步骤九所述去膜作业的金属基板背面进行包封无填料的塑封料(环氧树脂)作业，并进行塑封料包封后的固化作业，使基岛和引脚外围的区域、引脚与基岛之间的区域以及引脚与引脚之间的区域均嵌置无填料的塑封料(环氧树脂)，该无填料的塑封料(环氧树脂)将基岛和引脚下部外围、引脚下部与基岛下部以及引脚下部与引脚下部连接成一体，

步骤十一、被覆光阻胶膜

利用被覆设备在将已完成包封无填料塑封料作业的金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的蚀刻工艺作业，

步骤十二、已完成包封无填料塑封料作业的金属基板的正面进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗

利用曝光显影设备将步骤十一完成光阻胶膜被覆作业的已完成包封无填料塑封料作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以备后续需要进行金属基板正面蚀刻作业，

步骤十三、金属基板正面蚀刻作业