[发明专利]双面图形芯片正装单颗封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201010273026.5 | 申请日: | 2010-09-04 |
公开(公告)号: | CN101958303A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 王新潮;梁志忠 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48;H01L21/50;H01L23/31 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 图形 芯片 正装单颗 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种双面图形芯片正装单颗封装结构,包括基岛(1)、引脚(2)、无填料的塑封料(3)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线(8)和有填料塑封料(9),所述引脚(2)正面延伸到基岛(1)旁边,在所述基岛(1)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4),在所述基岛(1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5),在所述基岛(1)正面第一金属层(4)上通过导电或不导电粘结物质(6)设置有芯片(7),芯片(7)正面与引脚(2)正面第一金属层(4)之间用金属线(8)连接,在所述基岛(1)和引脚(2)的上部以及芯片(7)和金属线(8)外包封有填料塑封料(9),在所述基岛(1)和引脚(2)外围的区域、引脚(2)与基岛(1)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3),所述无填料的塑封料(3)将基岛(1)和和引脚(2)下部外围、引脚(2)下部与基岛(1)下部以及引脚(2)下部与引脚(2)下部连接成一体,且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面尺寸,形成上大下小的基岛和引脚结构,其特征在于:所述有填料塑封料(9)将引脚(2)正面局部单元进行包覆,在所述引脚(2)背面设置有柱子(10),柱子(10)根部埋入所述无填料的塑封料(3)内。
2.一种如权利要求1所述双面图形芯片正装单颗封装结构的封装方法,其特征在于所述方法包括以下工艺步骤:
步骤一、取金属基板
取一片厚度合适的金属基板,
步骤二、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜
利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜,
步骤三、金属基板正面的光阻胶膜进行需要电镀金属层区域的曝光/显影以及开窗
利用曝光显影设备将步骤二完成光阻胶膜被覆作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜,以露出金属基板正面后续需要进行电镀金属层的区域,
步骤四、金属基板正面已开窗的区域进行金属层电镀被覆
对步骤三中金属基板正面已开窗的区域进行第一金属层电镀被覆,该第一金属层置于所述基岛与引脚的正面,
步骤五、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜
将金属基板正面余下的光阻胶膜以及金属基板背面的光阻胶膜全部揭除,
步骤六、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜
利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜,以保护后续的蚀刻工艺作业,
步骤七、金属基板的光阻胶膜进行需要双面蚀刻区域的曝光/显影以及开窗
利用曝光显影设备将步骤六完成光阻胶膜被覆作业的金属基板正面及背面进行曝光显影去除部分光阻胶膜,以露出局部金属基板以备后续需要进行的金属基板双面蚀刻作业,
步骤八、金属基板进行双面蚀刻作业
完成步骤七的曝光/显影以及开窗作业后,即在金属基板的正面及背面进行各图形的蚀刻作业,蚀刻出基岛和引脚的正面和背面,同时将引脚正面尽可能的延伸到基岛旁边,且使所述基岛和引脚的背面尺寸小于基岛和引脚的正面尺寸,形成上大下小的基岛和引脚结构;以及在引脚背面形成柱子,并在基岛与引脚之间以及引脚与引脚之间留有连筋,
步骤九、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜
将金属基板正面和背面余下的光阻胶膜全部揭除,制成引线框,
步骤十、装片
在步骤九制成的引线框的基岛正面第一金属层上通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植入,
步骤十一、打金属线
将已完成芯片植入作业的半成品进行芯片正面与引脚正面第一金属层之间打金属线作业,
步骤十二、包封有填料塑封料
将已打线完成的半成品正面进行局部单元包封有填料塑封料作业,使引脚正面局部单元区域露出有填料塑封料,并进行塑封料包封后的固化作业,使基岛和引脚的上部以及芯片和金属线外均被有填料塑封料包封,
步骤十三、被覆光阻胶膜
利用被覆设备在将已完成包封有填料塑封料作业的半成品的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜和,以保护后续的蚀刻工艺作业,
步骤十四、已完成包封有填料塑封料作业的半成品的背面进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗
利用曝光显影设备将步骤十三完成光阻胶膜被覆作业的已完成包封有填料塑封料作业的半成品背面进行曝光显影去除部分光阻胶膜,以露出步骤八金属基板双面蚀刻作业后留有的连筋以及在引脚背面形成的柱子,以备后续需要进行柱子根部和连筋蚀刻作业,
步骤十五、第二次蚀刻作业
完成步骤十四的曝光/显影以及开窗作业后,即在完成包封有填料塑封料作业的半成品背面进行各图形的蚀刻作业,将步骤八金属基板双面蚀刻作业后留有的连筋全部蚀刻掉,在这个过程中所述柱子的根部也会同时的蚀刻掉相对的厚度,使柱子根部不露出包封后的封装结构背面,
步骤十六、半成品正面及背面进行光阻胶膜去膜
将完成步骤十五蚀刻作业的半成品背面余下的光阻胶膜以及半成品正面的光阻胶膜全部揭除,
步骤十七、包封无填料的塑封料
将已完成步骤十六所述去膜作业的半成品背面进行包封无填料的塑封料作业,并进行塑封料包封后的固化作业,使基岛和引脚外围的区域、引脚与基岛之间的区域以及引脚与引脚之间的区域均嵌置无填料的塑封料,该无填料的塑封料将基岛和引脚下部外围、引脚下部与基岛下部以及引脚下部与引脚下部连接成一体,且使所述柱子根部埋入该无填料的塑封料内,
步骤十八、基岛和引脚的背面以及引脚的正面进行金属层电镀被覆
对已完成步骤十七包封无填料塑封料作业的所述基岛和引脚的背面以及步骤十二所述露出有填料塑封料的引脚正面局部单元区域分别进行第二金属层和第一金属层的电镀被覆作业,
步骤十九、切割成品
将已完成步骤十八第二金属层电镀被覆的半成品进行切割作业,使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来,制得双面图形芯片正装单颗封装结构成品。
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