[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

半导体晶片，具有第一表面；

导电电极，暴露于该第一表面；

保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；

重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极；

防焊层，在该保护层与该重布线路层上，暴露出该重布线路层的端子；以及

金属层，嵌于该保护层中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含镍/金层，在该重布线路层上，并且该防焊层暴露在该重布线路层的端子上方的镍/金层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该保护层还包含将该金属层夹置于其间的第一保护膜和第二保护膜。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中：

该金属层位于该第一保护膜上；以及

该第二保护膜不但位于该第一保护膜与该金属层上，还位于该半导体晶片的与该第一表面相对的第二表面上。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该第一保护膜的材质与该防焊层相同。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该第一保护膜的材质是聚酰亚胺。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其中该第二保护膜为电沉积涂布的绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该重布线路层具有铝层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中该重布线路层还包括位于该铝层下表面的TiW层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，还包含在该重布线路层的该端子与该保护层之间的应力缓冲绝缘物。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该导电电极为该半导体晶片的输出/输入接点，且该金属层通过该保护层而与该导电电极电隔离，并作为电磁屏敝层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中该导电电极为该半导体晶片的接地接点或虚置接点，且该金属层电连接该导电电极。

13.一种半导体装置，包含：

半导体晶片，具有第一表面；

第一导电电极和第二导电电极，曝露于该第一表面；

保护层，在该半导体晶片的该第一表面上，该保护层具有贯穿的第一保护层开口和贯穿的第二保护层开口，分别位于该第一导电电极上和该第二导电电极上；

金属层，嵌于该保护层中，该金属层电连接该第二导电电极、但通过该保护层与该第一导电电极电隔离；

第一重布线路层，在该保护层上，该第一重布线路层经由该第一保护层开口电连接该第一导电电极；

第二重布线路层，在该保护层上，该第二重布线路层经由该第二保护层开口电连接该第二导电电极；以及

防焊层，在该保护层、该第一重布线路层和该第二重布线路层上。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中该第一重布线路层具有第一铝层，该第二重布线路层具有第二铝层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，还包含镍/金层，在该第一重布线路层的该第一铝层的上表面和该第二重布线路层的该第二铝层的上表面。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中该防焊层暴露出该第一重布线路层的第一端子及其上方的该镍/金层、以及该第二重布线路层的第二端子及其上方的该镍/金层。

17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中该保护层还包含将该金属层夹置于其间的第一保护膜和第二保护膜；该第一重布线路层还包含位于该第一铝层的下表面的第一TiW层；且该第二重布线路层还包含位于该第二铝层的下表面的第二TiW层，其中：

该金属层位于该第一保护膜上；以及

该第二保护膜不但位于该第一保护膜和该金属层上，也位于该半导体晶片的与该第一表面相对的第二表面。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中该第二保护膜为电沉积涂布的绝缘膜；该第一导电电极是该半导体晶片的输出/输入接点；且该第二导电电极是该半导体晶片的接地接点或虚置接点。