[发明专利]一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法

权利要求书

1.一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于步骤如下：

1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理，即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中，同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化学机械抛光；

2)采用等离子体刻蚀工艺，利用等离子体刻蚀设备对上述金刚石薄膜基片表面进行第二次微刻蚀修饰，即用激发的气体等离子体对金刚石表面进行微刻蚀处理，去除残留损伤，实现高度平坦化。

2.根据权利要求1所述采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于：所述氧化剂为KNO₃、KMnO₄和KClO₃中的一种或两种以上任意比例的组合。

3.根据权利要求1所述采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于：所述第一次抛光处理的热化学机械抛光工艺条件为：抛光台温度150-300℃、抛光台转速50-300r/min、抛光头转数为30-250r/min、抛光工艺压力1-10磅/平方英寸(psi)。

4.根据权利要求1所述采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀工艺条件为：刻蚀气体流量40-100sccm、ICP射频源功率为300-900W、偏压射频源功率为50-400W、工作压强为0.5-1.1Pa。

5.根据权利要求4所述采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于：所述的刻蚀气体为O₂、空气、O₂和Ar的混合气体、O₂与N₂的混合气体或O₂、H₂、Ar混合气体，在所有混合气体中，O₂占气体总体积的百分比为15％-30％，在O₂、H₂、Ar混合气体中H₂、Ar所占比例任意。

6.根据权利要求1所述采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于：所述等离子体刻蚀设备为感应耦合高密度等离子体刻蚀机。