[发明专利]防止基板变形有效
申请号: | 201010273756.5 | 申请日: | 2005-11-18 |
公开(公告)号: | CN101976671A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 具在本;申铉秀;徐旼彻;牟然坤 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王诚华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 变形 | ||
技术领域
本发明涉及防止基板由于热应力或沉积应力引起的变形。
背景技术
优先权要求
本申请根据35U.S.C.§119要求于2004年11月20日在韩国知识产权局提交的名称为“SUBSTRATE AND SUBSTRATE WITH THIN FILM TRANSISTOR(基板和具有薄膜晶体管的基板)”、正式指定序列号为10-2004-0095535的申请的优先权,其全部内容在此结合并作为参考。
对最近需求日益增加的移动显示装置和柔性显示装置的要求为薄、轻以不易破碎。
移动显示装置和柔性显示装置可以通过利用薄的玻璃基板来实现薄和轻。薄的玻璃基板不容易进行处理和精确对准,并且在抵抗外部冲击方面非常弱。为了解决这些问题,已经采用一种利用现有玻璃基板,然后以化学方法或机械方法使该玻璃基板变薄的方法。然而,该方法复杂并且变薄的玻璃基板对于抵抗外部冲击仍然非常弱。因此,该方法在实践中不能使用。
为了解决由玻璃基板的使用引起的这些问题,已经使用利用塑料基板的方法,该塑料基板比玻璃基板更柔软并且不容易被外部冲击损伤。然而,塑料基板具有低的热阻,因此它不能耐受高温处理,例如多晶硅薄膜晶体管的形成和其它沉积。
为了解决这些问题,已经提出了一种利用具有高热阻和高柔性的金属基板的方法。然而,当将一层沉积在金属基板上并且由此得到的金属基板经历高温处理时,由此得到的金属基板由于基板和该层的热膨胀系数之间的差异而变形。例如,当该层的热膨胀系数大于金属基板的热膨胀系数时,金属基板朝向该层的方向凸起。相反,当金属基板的热膨胀系数大于该层的热膨胀系数时,金属基板朝向与该层的方向相对的方向凸起。当然,这个问题不仅在使用金属基板时出现,在使用其他基板时也会出现。
发明内容
本发明提供一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板。
根据本发明的一个方面,提供一种基板,其包括:设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管;和变形防止层,其设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。
该基板优选进一步包括设置在该基板的一个表面上的平整层,其中薄膜晶体管设置在该平整层上,并且变形防止层的材料和厚度都与平整层的材料和厚度相同。
平整层优选包括氧化硅。
该基板优选进一步包括:设置在该基板的一个表面上的平整层;和设置在平整层上的缓冲层,其中薄膜晶体管设置在缓冲层上,变形防止层包括材料和厚度与平整层的材料和厚度相同的第一层以及材料和厚度与缓冲层的材料和厚度相同的第二层。
平整层优选包括氧化硅。
该基板优选进一步包括设置在该基板一个表面的整个区域上以覆盖薄膜晶体管的保护膜。
优选变形防止层的材料和厚度与保护膜的材料和厚度相同。
该基板优选进一步包括设置在该基板的一个表面上的平整层,其中薄膜晶体管设置在平整层上,变形防止层包括材料和厚度与平整层的材料和厚度相同的第一层以及材料和厚度与保护膜的材料和厚度相同的第三层。
平整层包括氧化硅。
该基板优选进一步包括:设置在该基板的一个表面上的平整层;和设置在平整层上的缓冲层,其中薄膜晶体管设置在缓冲层上,且变形防止层包括材料和厚度与平整层的材料和厚度相同的第一层,材料和厚度与缓冲层的材料和厚度相同的第二层,以及材料和厚度与保护膜的材料和厚度相同的第三层。
平整层优选包括氧化硅。
变形防止层优选设置在该基板的该一个表面上并且包括材料和厚度与形成在该基板的该一个表面的整个区域上的层的材料和厚度相同的层。
该基板优选包括金属基板。
根据本发明的另一方面,提供一种叠层基板,包括:基板;和设置在该基板的一个表面上的变形防止层。
该叠层基板优选进一步包括设置在该基板的另一个表面上的平整层。
优选变形防止层的材料和厚度与平整层的材料和厚度相同。
平整层优选包括氧化硅。
该基板优选包括金属基板。
附图说明
当参考附图对本发明进行更详细的描述时,本发明将变得更易于理解并且其更完整的评价和许多优点将是显而易见的,在附图中,相同的附图标记表示相同或相似的元件,其中:
图1为具有不同热膨胀系数的两层的叠层的截面示意图;
图2和3为通过热应力变形的图1的叠层的截面示意图;
图4为根据本发明实施例的包括薄膜晶体管的基板的截面示意图;
图5为其上形成有平整层的金属基板的截面示意图;
图6为根据本发明另一实施例的包括薄膜晶体管的基板的截面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的