[发明专利]高性能CMOS器件

权利要求书

1.一种高性能互补金属氧化物半导体CMOS器件，其特征在于，包括：

Si衬底，所述Si衬底包括NMOS区和PMOS区，其中，所述NMOS区和PMOS区之间具有第一隔离结构；

位于所述NMOS区中的NMOS器件结构，所述NMOS器件结构包括：

形成于所述Si衬底之上的第一栅堆叠结构，以及位于所述第一栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；

形成于所述第一栅堆叠结构两侧的第一源漏极；和

覆盖所述第一栅堆叠结构和所述第一源漏极的具有张应力的氮化物覆盖层；位于所述PMOS区中的PMOS器件结构，所述PMOS器件结构包括：

形成于所述Si衬底之上的第一应变SiGe层；

形成于所述第一应变SiGe层之上的Si帽层；

形成于所述Si帽层之上的第二栅堆叠结构，以及位于所述第二栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；和

形成于所述第二栅堆叠结构两侧的第二源漏极。

2.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一应变SiGe层为高Ge组分SiGe层。

3.如权利要求2所述的CMOS器件，其特征在于，所述具有张应力的氮化物覆盖层为氮化硅薄膜。

4.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一栅堆叠结构与所述第二栅堆叠结构在同一平面上。

5.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第二源漏极中的Ge含量大于所述PMOS器件结构中沟道区中的Ge含量。

6.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一隔离结构为浅沟槽隔离或场氧隔离。

7.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第二源漏极为提升结构。

8.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一应变SiGe层和Si帽层形成在所述Si衬底的衬底凹槽之中。

9.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述Si衬底为体Si衬底或绝缘体上硅SOI衬底。

10.一种高性能CMOS器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的驰豫SiGe过渡层，所述驰豫SiGe过渡层包括NMOS区和PMOS区，其中，所述NMOS区和PMOS区之间具有第二隔离结构； 

位于所述NMOS区中的NMOS器件结构，所述NMOS器件结构包括：

形成于所述驰豫SiGe过渡层之上的Si帽层；

形成于所述Si帽层之上的第一栅堆叠结构，以及位于所述第一栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；

形成于所述第一栅堆叠结构两侧以及所述Si帽层之中的第一源漏极；

位于所述PMOS区中的PMOS器件结构，所述PMOS器件结构包括：

形成于所述驰豫SiGe过渡层之上的第二应变Si层；

形成于所述第二应变Si层之上的高Ge组分应变层；

形成于所述高Ge组分应变层之上的第三应变Si层；

形成于所述第三应变Si层之上的第二栅堆叠结构，以及位于所述第二栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；和

形成于所述第二栅堆叠结构两侧的第二源漏极。

11.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述第二隔离结构为浅沟槽隔离或场氧隔离。

12.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述第二隔离结构为隔离墙结构。

13.如权利要求10所述的CMOS器件，其特征在于，所述驰豫SiGe过渡层中PMOS区的Ge含量大于NMOS区的Ge含量。

14.如权利要求11所述的CMOS器件，其特征在于，所述驰豫SiGe过渡层中的PMOS区和NMOS区通过选择性外延形成。

15.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述高Ge组分应变层为应变Ge层或高Ge组分应变SiGe层。

16.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述衬底为体Si衬底或SOI衬底。