[发明专利]有机发光二极管显示器

说明书

技术领域

所描述的技术总体上涉及有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地说，涉及使用氧化物半导体层的OLED显示器。

背景技术

OLED显示器是利用OLED来显示图像的自发光显示设备。OLED显示器与液晶显示器(LCD)的区别在于OLED显示器不需独立光源，这使得其厚度相对较薄、重量相对较轻。此外，OLED显示器还具备高品质特性，例如低功耗、高亮度以及短的响应时间。

近来，利用氧化物薄膜晶体管的OLED显示器已得到了特别的关注。氧化物薄膜晶体管指的是使用氧化物半导体层的薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管与使用非晶硅的薄膜晶体管相比，迁移率和可靠性相对较高；与使用多晶硅的薄膜晶体管相比，展现出卓越的一致性和总体工作性能。另外，利用此类氧化物薄膜晶体管的OLED显示器在构造透明显示器方面具备优势。然而，具备倒置交错结构的氧化物薄膜晶体管因寄生电容而不适用精确电压，这可能导致由于反冲电压而出现缺陷。

以上公开于背景技术部分的信息仅用于强化对所描述技术之背景的理解，其中可能包含在该国对于本领域技术人员来说不构成已知的现有技术的信息。

发明内容

因此，实施例致力于一种有机发光二极管，其基本上克服了由相关技术的限制和劣势引起的一个以上的问题。

因此，实施例的特征在于提供一种OLED显示器，其在利用氧化物薄膜晶体管的同时具有使寄生电容的产生最小化的优势。

以上及其他特征和优势中的至少一条可通过提供基板主体、位于所述基板主体上的薄膜晶体管和位于所述基板主体上的有机发光二极管(OLED)来实现。所述薄膜晶体管包括栅电极、以绝缘方式设置在所述栅电极上的氧化物半导体层、以及分别与所述氧化物半导体层相接触的源电极和漏电极。所述源电极和所述漏电极二者与所述氧化物半导体层相接触的部分沿与所述基板主体平行的方向以预定距离与所述栅电极分离。

所述源电极和所述漏电极二者与所述氧化物半导体层相接触的所述部分可以沿与所述基板主体平行的方向以大于0μm、不大于5μm的距离与所述栅电极分离。

所述基板主体可以划分为显示区域和非显示区域，所述基板主体的显示区域中形成多个像素以显示图像。

所述多个像素中的各个像素可以包括多个薄膜晶体管。

所述有机发光二极管可以设置在所述多个像素中的各个像素中，并直接连接到所述多个薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管。

所述薄膜晶体管可以形成在所述基板主体的显示区域和非显示区域二者中。

所述OLED显示器可以进一步包括附加的薄膜晶体管，在该附加的薄膜晶体管中，所述源电极和漏电极的与氧化物半导体层相接触的至少部分与栅电极交叠。

所述多个像素中的各像素可以包括至少一个薄膜晶体管和至少一个附加的薄膜晶体管。

所述有机发光二极管可以设置在各个像素处且直接与所述附加的薄膜晶体管连接。

所述薄膜晶体管可以形成在所述基板主体的显示区域和非显示区域二者中，所述附加的薄膜晶体管可以仅形成在所述基板主体的显示区域中。

所述薄膜晶体管可以仅形成在所述基板主体的显示区域中，所述附加的薄膜晶体管可以形成在所述基板主体的显示区域和非显示区域二者中。

所述薄膜晶体管和所述附加的薄膜晶体管可以分别皆形成在所述基板主体的显示区域和非显示区域二者中。

所述氧化物半导体层可以包括钙(Ca)、铟(In)、锌(Zn)和锡(Sn)中的至少一种以及氧(O)。

所述栅电极可以由金属层形成。

所述栅电极可以由掺杂的多晶硅形成。

根据本发明，OLED显示器可以在利用氧化物薄膜晶体管的同时使寄生电容的产生最小化。

附图说明

通过参照附图详尽地描述示例性实施例，上述及其他特征与效果对于本领域普通技术人员来说将更加显而易见，附图包括：

图1是示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的结构的俯视平面图。

图2是示出图1的OLED显示器的像素电路的电路图。

图3是示出图1的OLED显示器的薄膜晶体管的局部剖视图。

图4和图5示出根据示例性实施例的试验例的对比性能图。

具体实施方式

现在，将参照附图更全面地描述示例实施例，这些示例实施例可以以不同的方式来实现，而不应被解释为局限于此处所列举的实施例。相反，提供实施例的目的在于使公开更透彻与完整，并将发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

为清楚地描述本发明，与说明无关的部分被省略。贯穿全文，相同的附图标记始终指代相同的部件。