[发明专利]形成场效晶体管的方法及形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，所述集成电路包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路，所述方法包含：

在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料；

形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的阵列电路沟槽；

在所述掩蔽材料中的所述阵列电路沟槽内及所述半导电材料中的所述阵列电路沟槽内沉积阵列栅极材料；

在沉积所述阵列栅极材料之后，形成穿过所述掩蔽材料的外围电路沟槽；及

在所述掩蔽材料内的所述外围电路沟槽内沉积外围电路栅极材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述外围电路沟槽暴露所述衬底的所述半导电材料，且进一步包含在沉积所述外围电路栅极材料之前在所述衬底的所述暴露的半导电材料上方形成栅极介电层，所述栅极介电层还形成在所述阵列栅极材料上方。

3.如权利要求2所述的方法，其中在所述阵列栅极材料上形成所述栅极介电层。

4.如权利要求3所述的方法，其中形成至少大部分所述栅极介电层包含对所述暴露的半导电材料及所述阵列栅极材料进行热氧化。

5.如权利要求1所述的方法，其中使用掩蔽步骤形成所述阵列电路沟槽，且进一步包含在其中形成所述阵列电路沟槽的所述相同掩蔽步骤中形成穿过所述阵列中的所述掩蔽材料的接地栅极沟槽。

6.如权利要求1所述的方法，其中使用掩蔽步骤形成所述外围电路沟槽，且进一步包含在其中形成所述外围电路沟槽的所述相同掩蔽步骤中形成穿过所述阵列中的所述掩蔽材料的接地栅极沟槽。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述掩蔽材料包含接纳于氮化硅上方的二氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述阵列栅极材料的所述沉积用所述阵列栅极材料至少填充所述掩蔽材料中的所述阵列电路沟槽及所述半导电材料中的所述阵列电路沟槽。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述阵列栅极材料的所述沉积用所述阵列栅极材料过度填充所述掩蔽材料中的所述阵列电路沟槽及所述半导电材料中的所述阵列电路沟槽。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述外围电路栅极材料的所述沉积用所述外围电路栅极材料至少填充所述掩蔽材料中的所述外围电路沟槽及所述半导电材料中的所述外围电路沟槽。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述外围电路栅极材料的所述沉积用所述外围电路栅极材料过度填充所述掩蔽材料中的所述外围电路沟槽及所述半导电材料中的所述外围电路沟槽。

12.如权利要求1所述的方法，其包含在沉积所述外围电路栅极材料之后移除至少大部分所述掩蔽材料。

13.如权利要求1所述的方法，在沉积所述阵列栅极材料之后没有对所述阵列栅极材料进行光刻图案化。

14.如权利要求1所述的方法，在沉积所述外围电路栅极材料之后没有对所述外围电路栅极材料进行光刻图案化。

15.如权利要求1所述的方法，在沉积所述阵列栅极材料之后没有对所述阵列栅极材料进行光刻图案化，且在沉积所述外围电路栅极材料之后没有对所述外围电路栅极材料进行光刻图案化。

16.如权利要求1所述的方法，其包含在所述相同掩蔽步骤中形成某些外围电路沟槽及某些阵列电路沟槽。

17.一种形成集成电路的方法，所述集成电路包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路，所述方法包含：

在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料；

形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的阵列电路沟槽；

在所述掩蔽材料中的所述阵列电路沟槽内及所述半导电材料中的所述阵列电路沟槽内沉积阵列栅极材料；

形成穿过所述阵列栅极材料且穿过所述掩蔽材料的外围电路沟槽；及

在所述阵列栅极材料内及所述掩蔽材料内的所述外围电路沟槽内沉积外围电路栅极材料。