[发明专利]一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池

权利要求书

1.一种CdTe电池过渡层，包括ZnTe层和Cu层交替堆积的多层结构；多层结构中与CdTe层接触的为第一层，所述第一层为ZnTe层；所述多层结构中ZnTe层的厚度范围为10～40nm，所述多层结构中Cu层的厚度为1～10nm；所述多层结构的总厚度为25～120nm。

2.根据权利要求1所述的CdTe电池过渡层，其特征在于：所述多层结构的总层数为4～8层。

3.根据权利要求1所述的CdTe电池过渡层，其特征在于：在所述多层结构中，第一层的厚度大于其他ZnTe层的厚度。

4.根据权利要求3所述的CdTe电池过渡层，其特征在于：所述第一层的厚度为20～40nm。

5.根据权利要求3所述的CdTe电池过渡层，其特征在于：在所述多层结构中，沿远离第一层的方向，ZnTe层的厚度依次递减。

6.根据权利要求3所述的CdTe电池过渡层，其特征在于：在所述多层结构中，沿远离第一层的方向，Cu层的厚度依次递增。

7.一种权利要求1所述的CdTe电池过渡层的制备方法，其包括：先在CdTe层上沉积一层ZnTe层，然后交替沉积Cu层和ZnTe层；控制Cu层的厚度在1～10nm范围之内，ZnTe层在10～40nm范围之内，沉积的总厚度为25～120nm。

8.根据权利要求7所述的CdTe电池过渡层的制备方法，其特征在于：所述沉积为溅射或者蒸镀。

9.一种CdTe电池，其包括：依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、CdS层、CdTe层、过渡层以及背电极层；其特征在于：所述过渡层为权利要求1所述的CdTe电池过渡层。

10.根据权利要求9所述的CdTe电池，其特征在于：所述玻璃衬底的厚度为1～5mm，所述透明导电层的厚度为1～10μm，所述CdS层的厚度为50～300nm，所述CdTe层的厚度为1～10μm，所述背电极的厚度为80～500nm。