[发明专利]一种W-S-C复合膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010274926.1 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101921983A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 代明江;韦春贝;林松盛;侯惠君;宋玉波;胡芳;赵利 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种W-S-C复合膜的制备方法，其特征是依次包括以下步骤：
①将工件进行机械抛光，超声波除油、清洗，烘干后放入本底真空度5.0×10-3Pa，温度50~200℃的真空室中，工件转速2~10rpm；
②在Ar气压力0.2~1.5Pa，气体离子源功率0.2~2.0 kW和偏压200~1000V下，用Ar离子轰击清洗10~30min；
③Ar气压为0.2~1.0Pa，气体离子源功率为0.2~1.5kW，偏压为50~800V，磁控金属靶功率为0.5~10W/cm2，时间为5~20min，工件连续转动，沉积金属过渡层；
④Ar气压力0.5~3.0Pa，气体离子源功率0.1~1.0kW，偏压30~200V，WS2靶功率为0.5~10W/cm2，石墨靶功率为2~10W/cm2，厚度0.1~10--m，工件连续转动，沉积WS2和DLC掺杂的混合层。
2.根据权利要求1所述的W-S-C复合膜的制备方法，其特征是所述的金属靶为Ti、Cr或W。
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