[发明专利]制备半导体样品的方法无效
| 申请号： | 201010274979.3 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102384865A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 庞凌华;陈柳;齐瑞娟;王玉科;何伟业 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 样品 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备半导体样品的方法，包括：
(a)提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有金属间介电层，所述金属间介电层中具有大马士革结构；
(b)在所述大马士革结构中和所述金属间介电层上形成金属层，所述金属层高于所述金属间介电层；
(c)对步骤(b)形成的结构进行减薄处理，形成所述半导体样品。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
(d)在所述金属层上形成阻挡层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为20～200纳米。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是氮掺杂的碳化硅，氮化钽或钽。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述大马士革结构为单大马士革结构或双大马士革结构。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜或铝。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属层的高度大于所述金属间介电层高度10～500纳米。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述减薄处理是研磨配合离子束减薄或聚焦离子束减薄。
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