[发明专利]晶片清洗控制装置和晶片清洗控制方法

权利要求书

1.一种晶片清洗控制装置，其特征在于，包括：

晶片探测单元，用于探测清洗槽内是否放置有待清洗晶片，若有待清洗晶片放置于清洗槽内，则发出开启信号，若清洗槽内无待清洗晶片，则发出复位信号；

计时单元，用于接收晶片探测单元发出的开启信号和复位信号，当接收到开启信号，则计时单元开始计时，当接收到复位信号，则计时单元停止计时，同时将计时单元清零；计时单元设定有预定时间，若计时单元计时到预定时间，所述计时单元发出工作信号；

控制单元，用于接收计时单元发出的工作信号，并根据工作信号控制所述清洗槽内的清洗溶液的排放。

2.根据权利要求1所述晶片清洗控制装置，其特征在于，其特征在于，所述预定时间范围为2分钟～15分钟。

3.根据权利要求2所述晶片清洗控制装置，其特征在于，所述预定时间根据待清洗晶片的类型确定：若待清洗晶片为铜制程晶片，所述预定时间范围为2分钟～5分钟；若待清洗晶片为铝制程晶片或钨制程晶片，所述预定时间范围为6分钟～10分钟。

4.根据权利要求1所述晶片清洗控制装置，其特征在于，所述待清洗晶片经过清洗槽清洗后，还包括毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程。

5.根据权利要求4所述晶片清洗控制装置，其特征在于，所述控制单元还包括清洗状态探测单元，所述清洗状态探测单元用于探测清洗流程中是否发生有故障，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多个流程发生有故障，则清洗状态探测单元发出状态信号至控制单元，所述控制单元根据状态信号控制所述清洗槽内的清洗溶液进行排放。

6.根据权利要求5所述晶片清洗控制装置，其特征在于，所述清洗槽包括低液位检测单元，所述低液位检测单元设置有最低液位限，对所述清洗槽内清洗溶液进行测量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，则控制单元控制清洗槽内进行补充清洗溶液。

7.根据权利要求6所述晶片清洗控制装置，其特征在于，所述控制单元控制所述清洗槽内的清洗溶液进行排放过程中，所述控制单元控制控制低液位检测单元停止低液位检测。

8.一种晶片清洗控制方法，其特征在于，包括：提供具有清洗溶液的清洗槽，并探测所述清洗槽是否放置有待清洗晶片；若有待清洗晶片放置于清洗槽内，则自放置时间开始，对待清洗晶片的浸泡时间进行计时；提供预定时间，若待清洗晶片的浸泡时间超过预定时间后，排放清洗槽内的清洗溶液。

9.根据权利要求8所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述预定时间范围为2分钟～15分钟。

10.根据权利要求9所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述预定时间根据待清洗晶片的类型确定：若待清洗晶片为铜制程晶片，所述预定时间范围为2分钟～5分钟；若待清洗晶片为铝制程晶片或钨制程晶片，所述预定时间范围为6分钟～10分钟。

11.根据权利要求10所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述待清洗晶片经过清洗槽清洗后，还包括有毛刷清洗、甩干及烘烤的清洗流程。

12.根据权利要求11所述晶片清洗控制方法，其特征在于，若所述清洗槽清洗、毛刷清洗、甩干及烘烤之一或多个流程发生故障，则排放清洗槽内的清洗溶液。

13.根据权利要求12所述晶片清洗控制方法，其特征在于，在晶片清洗过程中还包括对所述清洗槽内清洗溶液进行测量，若清洗溶液的液位低于最低液位限，则对清洗槽内进行补充清洗溶液。

14.根据权利要求13所述晶片清洗控制方法，其特征在于，所述清洗槽内的清洗溶液进行排放过程中，则停止对所述清洗槽内清洗溶液进行测量。