[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 201010275252.7 | 申请日: | 2010-09-06 |
公开(公告)号: | CN102013425A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 寺山俊明 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/58 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
通过引用并入
本申请基于并且要求2009年9月7日提交的日本专利申请No.2009-205580的优选权,其公开在此通过引用整体并入。
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路,并且更加特别地,涉及减少半导体集成电路的时钟偏移和功率消耗的技术。
背景技术
在半导体集成电路中,主要的问题是减少由从时钟信号源到接收时钟信号的电路的布线长度、布线电阻等等的差导致出现的时钟偏移。如果出现时钟偏移,那么出现由被提供有时钟信号的电路中的每一个的操作时序中的偏离导致的半导体集成电路故障。
日本未经审查的专利申请公开No.2007-214334公布了一种与此类似的减少时钟偏移的技术。 日本未经审查的专利申请公开No.2007-214334公布一种半导体集成电路,该半导体集成电路包括通过第一电源驱动的第一电源区域;和通过第二电源驱动的第二电源区域。在半导体集成电路中,通过第二电源驱动的第n级的时钟缓冲器的输入端子连接到通过第一电源驱动的第(n-1)级的时钟缓冲器的输出端子。这使得能够减少不同的电源区域之间的时钟信号的时钟偏移。
发明内容
如日本未经审查的专利申请公开No.2007-214334中所描述的,存在包括下述区域的半导体集成电路,在所述区域中的每一个中,能够独立地提供或者切断电源。半导体集成电路被安装在诸如微型计算机、AV(视听)装置、移动电话等等的信息处理装置上。图5示出包括在其中的每一个中能够独立地提供或者切断电源的区域的半导体集成电路的示例。图5不是“现有技术”的附图,因为其是由发明人为了解释发明人所发现的问题而绘制的图。
图5中所示的半导体集成电路100包括常通区域102和电源分离区域103。当半导体集成电路100操作时,常通区域102始终被提供有电源。甚至当半导体集成电路100操作时,在电源分离区域103中独立于常通区域102地提供电源或者切断电源。例如,半导体集成电路100被安装在移动电话中,并且其中布置执行照相机功能的处理的电路的电源分离区域103。这使得能够通过当没有启动照相机功能并且因此不需要驱动执行照相机功能的处理的电路时,切断被提供给电源分离区域103的电源来减少功率消耗。
半导体集成电路100包括布线110,该布线110给时钟网121和131提供从时钟根缓冲器111输出的时钟信号。通过将布线110形成为树形状来调节布线110(在下文中,被称为“时钟树”)的布线长度。时钟树110包括时钟缓冲器112、113a、113b、114a-114p、115、116a、以及117a-117p以调节传输的时钟信号的相位。半导体集成电路100通过这些时钟缓冲器调节提供给时钟网121和131中的每一个的时钟信号的延迟的程度。
常通区域102包括布线121。布线121给在区域102中的电路(在下文中,被称为“驱动目标电路”)提供从时钟树10提供的时钟信号。布线121是网状布线以减少被提供给驱动目标电路的时钟信号的变化。
电源分离区域103包括时钟网131。时钟网131给区域103中的驱动目标电路提供从时钟树110提供的时钟信号。
当不需要驱动电源分离区域103的驱动目标电路时,半导体集成电路100切断从时钟树110提供给电源分离区域103的时钟信号,并且切断被提供给电源分离区域103的电源。这使得能够消除给电源分离区域103的驱动目标电路提供时钟信号和给电源分离区域103的驱动目标电路提供电源的电源消耗,从而减少功率消耗。
如上面所述,半导体集成电路100能够减少区域102和103中的每一个的时钟偏移。此外,半导体集成电路100能够通过切断被提供给电源分离区域103的电源和时钟信号来减少功率消耗。然而,在时钟根缓冲器111的后级中,时钟树110分支到区域102和103中的每一个,因此时钟树110被形成独立的布线。因此,存在在区域102和区域103之间出现时钟偏移的问题。即,图5中所示的半导体集成电路100具有能够减少功率消耗但是在区域102和区域103之间出现时钟偏移的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的