[发明专利]量子干涉装置、原子振荡器以及磁传感器有效

专利信息
申请号: 201010275313.X 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102013891A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 青山拓;珎道幸治 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03L7/26 分类号: H03L7/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟;马建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 量子 干涉 装置 原子 振荡器 以及 传感器
【权利要求书】:

1.一种量子干涉装置,该量子干涉装置利用由第1共振光和第2共振光构成的共振光对,使碱金属原子产生电磁诱导透明现象,所述量子干涉装置具有:

光源,其产生频率彼此相差Δω的多个所述第1共振光和频率彼此相差Δω的多个所述第2共振光;

磁场产生单元,其向所述碱金属原子施加磁场;

光检测单元,其检测包含透射过所述碱金属原子的所述第1共振光和所述第2共振光在内的光的强度;以及

控制单元,其根据所述光检测单元的检测结果进行控制,使得预定的所述第1共振光与预定的所述第2共振光之间的频率差等于与所述碱金属原子的2个基态能级的能量差相当的频率差,

所述控制单元还控制所述频率Δω和所述磁场产生单元产生的磁场的强度中的至少一方,使得对于与下述能量差相当的频率δ,满足2×δ×n=Δω以及Δω×n=2×δ中的至少一方,所述能量差是由于磁场引起的能量分裂,在所述碱金属原子的所述2个基态能级的各方产生的多个塞曼分裂能级中、磁量子数彼此相差1的2个所述塞曼分裂能级的能量差,其中,n是正整数。

2.根据权利要求1所述的量子干涉装置,其中,所述控制单元根据所述光检测单元的检测结果控制所述频率Δω。

3.根据权利要求1所述的量子干涉装置,其中,所述控制单元根据所述碱金属原子附近的磁场的强度控制所述频率Δω。

4.根据权利要求1所述的量子干涉装置,其中,所述控制单元具有磁场控制单元,该磁场控制单元根据预先决定的所述频率Δω,控制所述磁场产生单元产生的磁场的强度。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的量子干涉装置,其中,n=1。

6.一种原子振荡器,该原子振荡器具有权利要求1~5中的任意一项所述的量子干涉装置。

7.一种磁传感器,该磁传感器具有权利要求1~5中的任意一项所述的量子干涉装置。

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