[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010275351.5 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403435A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括一LED芯片、包覆该LED芯片的一封装体、及结合于该封装体上的一透镜，其特征在于：该透镜包括一本体及一光转换体，该本体面向该LED芯片的一侧的中央凹陷而形成一收容空间，该光转换体收容于该收容空间内，该LED芯片的出射光经由该光转换体进入该本体内，该光转换体内具有可改变该LED芯片的出射光波长的光转换物质。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该LED芯片的出射光的光强I相对于出射角θ呈朗伯(Lambertian)分布，即出射光的光强I与出射角θ满足：I＝I0xcosθ，0°≤θ≤90°；其中，I0为该LED芯片中心轴处出射光的光强，出射角θ为出射光与中心轴的夹角，该本体的收容空间的中心轴与该LED芯片的中心轴在同一条直线上，该收容空间的深度相对于出射角θ也呈朗伯分布。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体的形状与该本体的收容空间的形状相匹配，该光转换体的厚度相对于出射角θ也呈朗伯分布。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体的厚度小于或等于500μm。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体的厚度小于或等于300μm。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括一基座，该基座的顶面中央向下凹陷形成一容置空间，该LED芯片收容于该容置空间内。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体的底面完全覆盖该基座顶面的凹陷处。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：该封装体收容于该基座的容置空间内，该封装体的顶面与该基座的顶面齐平，该光转换体的底面紧贴该封装体的顶面。
9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体通过喷涂或丝网印刷的方式设置于该本体的收容空间内。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该光转换体包括一透光的基体及分布于该基体内的荧光粉，该光转换物质为该荧光粉。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司，未经富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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