[发明专利]半导体发光器件及其制造方法、图像显示装置和电子设备无效
| 申请号： | 201010275592.X | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102025109A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 内藤宏树;小山享宏;小嵨健介;小林新;奥山浩之;大金诚;河角孝行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 图像 显示装置 电子设备 | ||
1.一种半导体发光器件，其包括：
第一化合物半导体层；
活性层，它位于所述第一化合物半导体层上；
第二化合物半导体层，它位于所述活性层上，并且包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及
电极，它位于所述接触层上，
其中，所述接触层小于所述覆层。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接触层的尺寸与所述电极的尺寸基本上相等。
3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述电极覆盖着所述接触层。
4.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述接触层的平均面积S1和所述电极的平均面积S2满足关系式1/2≤S2/S1≤2。
5.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述接触层的平均面积S1和所述电极的平均面积S2满足关系式S2/S1＝1.05。
6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述活性层包括GaInP化合物半导体层并且掺杂有杂质。
7.如权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述活性层中n型杂质的掺杂浓度在5×1015/cm31×1018/cm3的范围内。
8.如权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述第一化合物半导体层包括第一AlGaInP化合物半导体层，并且所述覆层是第二AlGaInP化合物半导体层。
9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其中，所述第一化合物半导体为n型，所述第二化合物半导体为p型。
10.一种图像显示装置，其包括多个发光器件，各个所述发光器件包括：
第一化合物半导体层；
活性层，它位于所述第一化合物半导体层上；
第二化合物半导体层，它位于所述活性层上，并且包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及
电极，它位于所述接触层上，
其中，所述接触层小于所述覆层。
11.一种半导体发光器件制造方法，其包括如下步骤：
形成第一化合物半导体层；
在所述第一化合物半导体层上形成活性层；
在所述活性层上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包括从所述活性层侧依次布置的覆层和接触层；以及
在所述接触层上形成电极，
其中，所述接触层小于所述覆层。
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