[发明专利]具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器及制造方法

权利要求书

1.具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器，设有：

具有n+类型载流子的下部半导体层；

具有n+类型载流子的上部半导体层；

及排布在所述下部半导体层与上部半导体层之间，具有形成下部p-n接合面及上部n-p接合面的P类型载流子的中间半导体层；

其特征是，所述上部半导体层是通过在中间半导体层上进行杂质扩散工序添加掺杂而形成。

2.根据权利要求1所述的低电压过电压抑制器，其特征是，所述中间半导体层是由下部半导体层上的硼杂质通过扩散工序添加掺杂而形成。

3.根据权利要求2所述的低电压过电压抑制器，其特征是，所述上部半导体层与中间半导体层的活性区域的限定区域形成氧化物层。

4.根据权利要求1所述的低电压过电压抑制器，其特征是，所述中间半导体层的纯添加掺杂浓度峰值比上部半导体层及下部半导体层低。

5.具有双向击穿防护功能的低电压过电压抑制器制造方法，其特征是，该方法包括：

a) 在具有n+类型载流子的下部半导体层上，形成p类型载流子的中间半导体层的步骤；

b）将中间半导体上的杂质，通过扩散工序添加掺杂，形成具有n+类型载流子的上部半导体层的步骤。

6.根据权利要求5所述的低电压过电压抑制器制造方法，其特征是，所述步骤a）是在下部半导体层上，通过杂质扩散工序，获得P类型载流子形成中间半导体层。

7.根据权利要求5所述的低电压过电压抑制器制造方法，其特征是，所述步骤a）是在具有nn+类型的载流子层的基板上，通过硼杂质扩散工序添加掺杂，在以上基板的载流子层中，将n类型载流子层转换成P类型载流子,形成中间半导体层。

8.根据权利要求7所述的低电压过电压抑制器制造方法，其特征是，所述步骤a）进一步包括，所述基板中在n+类型载流子层上形成的n类型载流子层。

9.根据权利要求8所述的低电压过电压抑制器制造方法，其特征是，所述基板的nn+类型载流子层中，n+类型载流子层对比n类型载流子层，其峰值添加掺杂浓度至少高出10倍以上。