[发明专利]有机发光二极管

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于和要求2009年9月10日提交的日本专利申请2009-209529的优先权，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

本文所描述的实施方案通常涉及一种有机发光二极管。

背景技术

近年来有机发光二极管在平面光源等方面的应用受到了关注。尤其是利用磷光现象的有机发光二极管由于其显现出更高的发光效率而被积极地研究。

制备这种有机发光二极管的方法有两种：采用真空蒸发工艺的方法和采用涂覆工艺的方法。采用涂覆工艺的方法能提高器件面积并降低成本；然而，仍强烈期望提高该方法的发光效率。

常规地，例如J.Appl.Phys.，102，091101(2007)描述了采用涂覆工艺制备的有机发光二极管的发光效率。例如其公开了具有如下结构的有机发光二极管：其中，在玻璃基板上以如下顺序形成有ITO阳极、PEDOT：PSS空穴注入层、包含基质材料聚乙烯基咔唑(PVK)、蓝色磷光发光材料FIrpic和电子传输材料OXD-7的发光层以及CsF/A1阴极。所述有机发光二极管的目的是通过在可用于涂覆工艺的基质材料中采用具有更高三重态能量的PVK，以限制蓝色磷光发光材料FIrpic的三重激发态，从而获得更高的发光效率。然而，该有机发光二极管的效率仍不能令人满意。

附图简介

图1A是第一实施方案的有机发光二极管的横截面视图，图1B是其能带图谱；

图2是第二实施方案的有机发光二极管的横截面视图；和

图3是显示低分子量氟化咔唑性能的图。

发明详述

一般地，根据一个实施方案，提供了一种有机发光二极管，包括：彼此分离设置的阳极和阴极；设置在所述阳极和阴极之间的发光层，其含有聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)基质材料、蓝色磷光发光材料和电子传输材料；以及在阳极侧上与所述发光层相邻设置的聚乙烯基咔唑空穴传输层。

根据另一个实施方案，提供了一种有机发光二极管，包括：彼此分离设置的阳极和阴极；设置在所述阳极和阴极之间的发光层，其含有聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)基质材料、蓝色磷光发光材料和电子传输材料；以及在阳极侧上与所述发光层相邻设置且由除聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)以外的氟化聚乙烯基咔唑形成的空穴传输层。

在考虑为了提高采用涂覆工艺制备的有机发光二极管的发光效率而采用具有比PVK更高的三重态能量的基质材料时，我们发现了作为这种基质材料的聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)(下文缩略为F-PVK)。

另一方面，F-VPK具有深HOMO能级，因此空穴难以注入。为了提高发光效率，优选将HOMO能级处于发光层HOMO能级和阳极(或空穴注入层)HOMO能级之间的空穴传输层在阳极侧上与发光层相邻之处插入。该空穴传输层由聚乙烯基咔唑(PVK)或除聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)以外的氟化聚乙烯基咔唑形成。

由于例如PVK的HOMO能级处于PEDOT：PSS(常用于采用涂覆工艺制备的有机发光二极管的空穴注入层)的HOMO能级与F-PVK的HOMO能级之间，空穴可从PEDOT：PSS空穴注入层通过PVK空穴传输层注入到发光层基质材料F-PVK中。另外，由于PVK的LUMO能级比F-PVK的LUMO能级浅，能够防止电子穿过发光层的基质材料(F-PVK)而不发光。此外，由于PVK具有更高的三重态能量，可防止激子从发光层向阳极传输。

在将除聚乙烯基(2，7-二氟咔唑)以外的氟化聚乙烯基咔唑用作空穴传输层以代替PVK的情况下，也可获得相似的效果。

因此，该实施方案的有机发光二极管能通过涂覆工艺制备并能提高发光效率。

下文将参照附图对实施方案进行描述。

(第一实施方案)

图1A是第一实施方案的有机发光二极管的横截面视图，图1B是其能带图谱。