[发明专利]圆片清洗方法有效
申请号: | 201010276870.3 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102403190A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 吴贵财;刘金慧;李强 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
1.一种圆片清洗方法,其特征在于,依次包括如下步骤:
干法去胶;
氢氟酸漂洗;
湿法去胶。
2.如权利要求1所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述氢氟酸漂洗步骤还包括:氢氟酸预处理;传输中转步骤;氢氟酸漂洗;去离子水清洗;烘干。
3.如权利要求1或2所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述氢氟酸中水与氟化氢的摩尔比为100∶1。
4.如权利要求2所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述氢氟酸漂洗时间为30秒。
5.如权利要求2所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述传输中转步骤包括:溢流清洗和热快速排水清洗步骤。
6.如权利要求5所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗和热快速排水清洗使用去离子水清洗。
7.如权利要求5或6所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗和热快速排水清洗步骤工艺时间为机械手臂交换时间。
8.如权利要求1所述的圆片清洗方法,其特征在于,圆片多晶条呈水平方向分布并与圆片的槽口方向垂直。
9.如权利要求7或8所述的圆片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗中去离子水的流向与多晶条方向垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造