[发明专利]阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法

权利要求书

1.一种阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

(a)制备一同指向型硅基板；

(b)在该同指向型硅基板的表面溅镀出一镀钛金属层以形成一镀钛硅基板；

(c)将该镀钛硅基板放置于一真空热处理环境中进行一真空热处理作业，借以消除该镀钛金属层与该同指向型硅基板间的残留应力；

(d)将该镀钛硅基板放置于一退火热处理环境中进行一退火热处理作业，借以使该镀钛金属层转变成一介在相钛金属层；

(e)对该介在相钛金属层进行一阳极处理作业，借以使该介在相钛金属层转变成该阵列纳米管型太阳能电池薄膜，且该阵列纳米管型太阳能电池薄膜的表面具有多个以一密集阵列排列的二氧化钛(TiO₂)纳米管；以及

(f)施加一逆向电压，使该阵列纳米管型太阳能电池薄膜自该同指向型硅基板脱离。

2.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，该同指向型硅基板为一同指向型硅园片。

3.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，该介在相钛金属层主要由二氧化钛锐矿型结晶结构所组成。

4.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，该步骤(b)利用一电浆气相沉积设备所进行。

5.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(c)中，该真空热处理环境的压力为0.01torr，且该真空热处理环境的温度为920℃。

6.如权利要求5所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(d)中，该退火热处理环境的温度为850℃，且该退火热处理作业维持1小时。

7.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(e)前更包含一步骤(e0)，其是清洁并抛光该镀钛金属层。

8.如权利要求7所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，该步骤(e0)是利用一电解抛光作业所完成。

9.如权利要求1所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(e)中，是将该介在相钛金属层浸入一电解液中，并施加一工作电压，借以进行该阳极处理作业。

10.如权利要求9所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(e)中更包含一步骤(e1)，其是利用一电化学直流极化曲线扫描作业，评估出该工作电压的一最佳化工作电压值与该电解液的一最佳化电解液酸碱值。

11.如权利要求10所述的阵列纳米管型太阳能电池薄膜的制作方法，其特征在于，在该步骤(e1)中，当该镀钛硅基板的面积为2cm×2cm时，该最佳化工作电压值为10V至20V，且该电解液的调制配方中包含1.2vol.％的氢氟酸以及10vol.％的硫酸。