[发明专利]锗硅异质结双极晶体管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。

背景技术

随着锗硅(SiGe)工艺的日益成熟，射频电路集成也越来越普遍，射频接受、射频发射以及开关等都趋向集成，因此放大接受信号的低噪声放大器(LNA)和放大发射信号的功率放大器(PA)都应制作在同一芯片上，为了提高双极晶体管器件的工作频率，需要最大化双极晶体管器件的最大震荡频率(F_max)。其计算公式为：

Fmax=(ft8πrbCdBC)1/2]]>

其中，f_t为双极晶体管器件的特征频率，r_b为双极晶体管的基区电阻，C_dBC为双极晶体管的BC结电容。从公式中可以看出，要想提高F_max，必须大幅度的降低r_b和C_dBC。

如图1所示，为现有锗硅异质结双极晶体管结构剖面图。现有锗硅异质结双极晶体管形成于P型硅衬底上，有源区由场氧区隔离，包括：

一集电区即图1所示N-集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述场氧区底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的场氧区底部。

一赝埋层即图1所示N+赝埋层，由形成于所述有源区两侧的场氧区底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在横向位置上和所述有源区相隔一横向距离、且所述赝埋层和所述集电区的横向延伸进入所述场氧区底部的部分相接触，通过在所述赝埋层顶部的场氧区形成的深孔接触引出所述集电区电极。

一基区即图1所示锗硅基区，由形成于所述硅衬底上的P型锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述场氧区上部且用于形成基区电极。其中所述本征基区由基区窗口进行定义，所述基区窗口大于或等于有源区尺寸，所述本征基区形成于所述基区窗口内，所述外基区和所述场氧间隔离有基区窗口介质层。

一发射区即图1所示的N+多晶硅发射区，由形成于所述本征基区上部的N型多晶硅组成，和所述本征基区形成接触。其中所述发射区由发射区窗口进行定义，所述发射区窗口小于有源区尺寸，所述发射区窗口内的所述发射区和所述本征基区相接触；所述发射区窗口外的所述发射区和所述本征基区间隔离有发射区窗口介质层。