[发明专利]一种半导体设备保护用快速熔断体

权利要求书

1.一种半导体设备保护用快速熔断体，包括熔管、若干片熔体、灭弧介质及一对接触板，其特征在于，

所述熔管的端面中央轴向设有一空腔；

所述每片熔体的表面上沿长度方向间隔距离为L地纵向开设多列大孔，每列大孔的同一旁L1距离处还纵向开设一列小孔；

所述每列大孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ1、直径为D1的大直径孔；所述每列小孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ2、直径为D2的小直径孔；所述每片熔体在靠近其长度中心的一列大孔中所含的多个大直径孔均为半径为D1/2的横向腰形孔，并且在该列腰形孔和近旁的一列小孔之间还设有一列直径为D2的小孔；

所述每片熔体均以所述一列大孔的中心线和所述一列小孔的中心线为折痕弯折成波峰高度为LI的方波形状后，再以围成一截面为断开的正多边形的方式穿插在所述熔管的空腔中；

所述灭弧介质充实在所述熔管的空腔中并位于所述每片熔体之间及所述熔体与所述熔管的空腔壁之间；

所述一对接触板封盖在所述熔管的两端，并且所述一对接触板的内表面分别与所述每片熔体的两端连接。

2.根据权利要求1所述的半导体设备保护用快速熔断体，其特征在于，所述每片熔体在靠近其长度中心并且面向所述熔管的空腔中心的一表面上还纵向设有一锡桥。

3.根据权利要求1或2所述的半导体设备保护用快速熔断体，其特征在于，所述每片熔体在与所述锡桥向背的表面上连接一垫片。

4.根据权利要求1或2所述的半导体设备保护用快速熔断体，其特征在于，所述δ2＝2δ1，所述D1＝3.5D2。

5.根据权利要求1所述的半导体设备保护用快速熔断体，其特征在于，所述熔管的空腔截面形状为与所述熔体的数量相应的正多边形，并且每条边均为圆弧边，每条边的两端还分别以圆弧与相邻边连接。

6.根据权利要求1所述的半导体设备保护用快速熔断体，其特征在于，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷绝缘材料制作。