[发明专利]一种用于太阳能电池的铜铟硒硫薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010277868.8 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN101982567A 公开(公告)日: 2011-03-02
发明(设计)人: 左少华;江锦春;崔艳峰;禇君浩 申请(专利权)人: 上海太阳能电池研究与发展中心
主分类号: C25D3/56 分类号: C25D3/56;C25D5/48;H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 太阳能电池 铜铟硒硫 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于太阳能电池的CuInSe2-xSx薄膜的制备方法,其特征在于步骤如下:

§A CuInSe2-xSx薄膜的电沉积

§Aa电沉积溶液的配制

溶质为:铜盐、铟盐、硒源、辅助电解质和柠檬酸钠;

所说的铜盐为氯化铜、硫酸铜、乙酸铜中的一种;

所说的铟盐为氯化铟、硫酸铟中的一种;

所说的硒源为亚硒酸、二氧化硒中的一种;

所说的辅助电解质为氯化锂、硫酸锂中的一种;

各元素的原子组分比为:Cu∶In∶Se∶S=1∶3.0~4.5∶0~4.0∶0~20,Se和S不能同时为零和同时大于零;

溶剂为:去离子水;

电沉积溶液在常温下用常规方法配制得到电沉积溶液,其中,Cu2+浓度为2.0~3.0mM,辅助电解质浓度为0~0.25M,柠檬酸钠的浓度为0~0.25M;

§Ab薄膜的电沉积

将上述配制的溶液放在电沉积容器中,电沉积采用标准三电极系统,其中对电极为铂片或镀铂钛阳极,参比电极为饱和甘汞电极或Ag/AgCl电极,工作电极为待沉积的衬底,为ITO玻璃、镀Mo玻璃或铜箔;

电沉积采用恒电位方法,沉积电位范围为-0.5~-1.1V,沉积时间为20~90分钟。电沉积时溶液无需搅拌,室温操作;

§B根据要求对薄膜进行硫化处理或硒化处理

§Ba硫化处理

将电沉积薄膜置于硫化炉中,以H2S气体为气态硫源;

先用Ar气置换出炉内的空气,操作如下:先将炉内气压抽至50-60mTorr,然后通入Ar气至炉内气压90-110Torr,再将气压抽至50-60m Torr,如此反复操作3-4次;

气体置换完毕后,通入H2S和Ar混合气体,气体流量为Ar:100标准毫升/分钟;H2S:5~10标准毫升/分钟,使炉内压力升至并保持为7~10Torr;然后对炉体内的样品进行加热,硫化温度为500~570℃,保温时间为0.5~3小时,然后自然降至室温;

§Bb硒化处理

将电沉积薄膜置于硒化炉中,以硒粉作为固态硒源,并与薄膜样品分别置于两个不同的加热源上;

先用Ar气置换出炉内的空气,操作如下:先将炉内气压抽至50-60mTorr,然后通入Ar气使炉内气压达100Torr,再将气压抽至50-60mTorr,如此反复操作3-4次;

气体置换完毕后,通入Ar气并保持炉内气压为50-60mTorr。再对硒粉和薄膜样品同时进行加热,硒粉的温度控制在220~280℃区间,薄膜样品的温度控制在500~570℃区间,保温时间为0.5~3小时,然后自然降温。

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