[发明专利]光学存储介质有效
| 申请号： | 201010277928.6 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102013261A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·费里;盖尔·皮拉德 | 申请（专利权）人： | 汤姆森特许公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 吕晓章 |
| 地址： | 法国伊西*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 存储 介质 | ||
1.一种光学存储介质，包括：
衬底层(52)；
具有凹坑结构的只读数据层(52a)，设置在该衬底层(52)上；
覆盖层(58)；以及
具有超分辨率结构的非线性层，设置在该数据层(52a)与该覆盖层(58)之间，该超分辨率结构包括半导体材料和电介质材料(55)的粒状杂质，
其中该半导体材料在用激光束照射时具有增大的反射率，并且
其中该电介质材料(55)布置为具有5nm以下的厚度的电介质层(55)。
2.如权利要求1所述的光学存储介质，其中该非线性层包括：
第一非线性层(54)，具有超分辨率结构并设置在该数据层(52a)之上；
第二非线性层(56)，具有超分辨率结构并设置在该第一非线性层(56)之上，并且其中
该电介质层(55)布置为在该第一非线性层(54)和该第二非线性层(56)之间的厚度不均匀的层(55)。
3.如权利要求2所述的光学存储介质，包括设置在该衬底层(52)与该第一非线性层(54)之间的第二电介质层(53)以及设置在该覆盖层(58)与该第二非线性层(56)之间的第三电介质层(57)。
4.如权利要求3所述的光学存储介质，其中该第一非线性层(54)和该第二非线性层(56)的每个具有在10-40nm范围内的厚度，该第二电介质层(53)具有在40-100nm范围内的厚度，该第三电介质层(57)具有在20-80nm范围内的厚度。
5.如权利要求2-4中任一项所述的光学存储介质，其中两个非线性层(54，56)包括相同的半导体材料或者由相同的半导体材料构成。
6.如权利要求1所述的光学存储介质，包括：设置在该数据层(52a)与第一非线性层之间或者设置在该数据层(52a)与第一和第二非线性层(54，56)之间的第二电介质层(53)，以及设置在该覆盖层与第一非线性层之间或者设置在该覆盖层与第一和第二非线性层(54，56)之间的第三电介质层(57)。
7.如前述权利要求中任一项所述的光学存储介质，其中半导体材料是III-V半导体族中的一种，例如为GaSb或者带隙为1eV以下的诸如InAs或InSb的In合金。
8.如前述权利要求中任一项所述的光学存储介质，其中该电介质材料(55)包括氮化物材料或者由氮化物材料构成，该氮化物材料例如为GeN。
9.如前述要求8所述的光学存储介质，其中该电介质材料(55)包括材料GeN。
10.如前述权利要求中任一项所述的光学存储介质，其中该光学存储介质是光盘。
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