[发明专利]一种制备高电阻率硅晶片的方法有效
| 申请号： | 201010278602.5 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101935873A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黎坡;曼纽尔 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电阻率 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备高电阻率硅结构的方法，包括以下步骤：
首先，提供一掺杂浓度为中等、初始电阻率为200-1000ohm-cm的P型硅结构；
其次，对所述硅结构进行热处理，通过所述热处理产生氧热施主，使得所述硅结构中的一部分或全部空穴被抵消。
2.如权利要求1所述的制备高电阻率硅结构的方法，其特征在于，所述热处理的温度为300-450℃，时间为10-120分钟。
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