[发明专利]外延薄膜厚度测量方法

权利要求书

1.一种外延薄膜厚度测量方法，其特征在于包括：

参考薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上直接形成具有图案的参考薄膜；

外延薄膜形成步骤，用于在晶圆的衬底上的形成有参考薄膜的区域之外的其它区域直接形成外延薄膜；以及

外延薄膜测量步骤，用于根据参考薄膜来测量外延薄膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述参考薄膜是不适于所述外延薄膜的生长。

3.根据权利要求1或2所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述参考薄膜是氧化物薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述参考薄膜形成步骤包括：

在晶圆的整个衬底上直接生长参考薄膜；

在晶圆的衬底上涂覆光刻抗蚀剂；以及

执行光刻以对晶圆的衬底上的参考薄膜进行刻蚀，从而形成具有图案的参考薄膜。

5.根据权利要求4所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述参考薄膜形成步骤还包括在执行刻蚀之后去除光刻抗蚀剂的步骤。

6.根据权利要求1或2所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，在所述外延薄膜测量步骤中采用扫描电子显微镜执行对外延薄膜的厚度的测量。

7.根据权利要求1或2所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述外延薄膜测量步骤包括：

第一厚度测量步骤，用于测量具有图案的参考薄膜相对于晶圆的衬底的第一厚度；

第二厚度测量步骤，用于测量外延薄膜相对于具有图案的参考薄膜的第二厚度；以及

根据第一厚度以及第二厚度来计算外延薄膜相对于晶圆的衬底的厚度。

8.根据权利要求1或2所述的外延薄膜厚度测量方法，其特征在于，所述外延薄膜测量步骤包括：

测量外延薄膜相对于具有图案的参考薄膜的与晶圆的衬底的接触面的厚度，并且将该厚度作为外延薄膜相对于晶圆的衬底的厚度。