[发明专利]微电子机械系统微桥结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010278684.3 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101962165A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 袁超;康晓旭;李佳青;池积光 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 系统 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种微电子机械系统微桥结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
金属层，其间隔设置于所述半导体衬底上，形成图形化的凹槽；
介质层，设置于所述金属层之间的图形化凹槽中；
缓冲层，设置于所述金属层和介质层上；
牺牲层，设置于所述缓冲层上。
2.根据权利要求1所述的微电子机械系统微桥结构，其特征在于，所述缓冲层为SiO2缓冲层，其厚度为500埃～3000埃。
3.根据权利要求1所述的微电子机械系统微桥结构，其特征在于，所述金属层为铝金属层，所述介质层为SiO2薄膜，所述牺牲层为非晶硅牺牲层。
4.根据权利要求1所述的微电子机械系统微桥结构，其特征在于，所述牺牲层为单层或多层复合结构。
5.一种微电子机械系统微桥结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上制作金属层，并实现其图形化，同时形成沟槽；
化学气相沉积介质层，实现沟槽填充；
对所述介质层进行平坦化处理，使其表面与金属层齐平；
采用化学气相沉积法，在所述金属层和介质层上沉积缓冲层；
在所述缓冲层上沉积牺牲层。
6.根据权利要求5所述的微电子机械系统微桥结构制造方法，其特征在于，所述金属层为铝金属层，所述介质层为SiO2薄膜，所述牺牲层为非晶硅牺牲层。
7.根据权利要求5所述的微电子机械系统微桥结构制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积介质层步骤采用PECVD、HDPCVD、SACVD或APCVD技术。
8.根据权利要求5所述的微电子机械系统微桥结构制造方法，其特征在于，所述平坦化处理采用化学机械研磨，刻蚀或两者的结合。
9.根据权利要求5所述的微电子机械系统微桥结构制造方法，其特征在于，所述沉积牺牲层的处理温度为200℃～550℃，所述牺牲层为单层或多层复合结构，厚度范围为2000埃～20000埃。
10.根据权利要求5所述的微电子机械系统微桥结构制造方法，其特征在于，所述缓冲层为化学气相沉积SiO2缓冲层，其沉积方法为PECVD、HDPCVD、SACVD或是APCVD，其沉积处理温度为200～500℃，厚度为500埃～3000埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010278684.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种扁形茶分级做形的方法
- 下一篇：一种高香茶叶的生产方法
