[发明专利]一种自调Q激光晶体材料及其用途

权利要求书

1.一种自调Q激光晶体，其化学式为Na₃La_9-xRE_xB₈O₂₇，其中0＜x＜9，RE为Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺，Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、和Yb³⁺稀土离子中的一种或两种。

2.按权利要求1所述的自调Q激光晶体，其特征在于，所述自调Q激光晶体属点群，其线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ₂₂，且该电光系数γ₂₂＝2.3pm/V。

3.一种权利要求1所述的自调Q激光晶体的用途，其用于制作自调Q脉冲激光器件；所述的调Q为电光调制或电光Q开关。

4.按权利要求3所述的自调Q激光晶体的用途，其用于制作自调Q激光器件时，沿该自调Q激光晶体物理学X方向、物理学Y方向和物理学Z方向切割晶体；

所述自调Q激光晶体的物理学Z方向尺寸定义为长度l；所述自调Q激光晶体的物理学X方向或物理学Y方向定义为厚度d；

所述自调Q激光晶体的物理学X方向或物理学Y方向镀有金属导电膜，并在物理学X方向或物理学Y方向加电场。