[发明专利]制造半导体器件的方法和掩模无效
申请号: | 201010279145.1 | 申请日: | 2010-09-08 |
公开(公告)号: | CN102024698A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 别宫史浩 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/32 | 分类号: | H01L21/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括:
在基板中形成多个电极焊盘;
在所述多个电极焊盘中和所述多个电极焊盘的外周,形成保护绝缘膜,所述保护绝缘膜具有位于每个所述电极焊盘上方的多个开口;
在所述保护绝缘膜上方形成感光性树脂膜;
通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影,沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上方形成多个凸块核心;以及
通过在所述多个凸块核心、所述多个电极焊盘和所述保护绝缘膜上方选择性地形成导电膜,来形成多个凸块以及多个互连,所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个,
其中,在形成所述多个凸块核心的所述步骤中,通过使用多等级掩模只一次性将所述感光性树脂曝光,使得在所述凸块核心的侧面上的与所述互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域更缓的坡度。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述感光性树脂膜是正型的;以及
其中,在所述多等级掩模中,与在所述凸块核心的侧面上的和所述互连接壤的区域相对应的部分的光透射量大于与在所述凸块核心的侧面上的和所述第一直线相交的区域相对应的部分的光透射量。
3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,彼此紧邻设置的所述凸块核心的中心之间的距离等于或小于50μm。
4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述感光性树脂膜是酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、硅树脂或烯丙基树脂。
5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述多个凸块核心被构造成使得所述多个凸块核心的下部彼此连接。
6.一种掩模,所述掩模将感光性树脂膜曝光并且形成多个凸块中的每个凸块的凸块核心,所述掩模包括:
多个图案,所述多个图案沿着第一直线设置,用于形成所述凸块核心,
其中,通过遮蔽曝光光线的完全蔽光区域和透射所述曝光光线的完全透射区域的组合,来形成所述图案,以及
其中,所述掩模还包括半透射所述曝光光线的半透射区域,所述半透射区域连接到在所述完全蔽光区域和所述完全透射区域的边界中的、沿着不与所述第一直线相交的方向上伸展的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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