[发明专利]P型硅衬底背面金属化的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造背面金属化技术，尤其涉及一种P型轻掺硅衬底背面金属化的其制作方法。 

背景技术

背面金属化是制作功率分立器件芯片的一步关键工序。目前对于P型硅衬底分立器件芯片，其衬底一般采用电阻率为10^-2Ω·cm至100Ω·cm的掺硼材料片，杂质浓度约在10¹⁸cm^-3至10¹⁴cm^-3，与一般的金属较难形成良好的欧姆接触，如常用的金属Ti与P型硅衬底接触会表现出轻微的整流特性，从而使器件应用时存在较大的接触电阻，导致耗散功率增加，影响器件特性。 

图1所示为传统背面金属化结构，在P型硅衬底上依次包括金属Ti、金属Ni和金属Ag，其实现方法是在减薄后的P型硅衬底上按次序依次蒸发金属Ti、金属Ni、金属Ag。 

发明内容

本发明的目的是为了克服已有技术的不足，本发明还提供了一种P型硅衬底背面金属化的制作方法

P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤： 

(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层； 

(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag； 

(3)进行一次350℃~450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层，提高衬底硅表面P型杂质浓度，降低P型衬底硅与背面金属的接触电阻。 

本发明同背景技术相比优点在于有效地降低芯片的背面接触电阻，降低器件的耗散功率。 

附图说明

图1传统背面金属化结构 

图2本发明提出的P型硅衬底背面金属化结构 

图3传统背面金属化结构的伏安特性曲线 

图4本发明背面金属化结构的伏安特性曲线 

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。 

P型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤： 

(1)在芯片减薄后，在背面蒸发一层Al薄层； 

(2)在Al薄层上依次蒸发金属Ni和金属Ag； 

(3)进行一次350℃~450℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅中，形成表面掺铝硅层，提高衬底硅表面层P型杂质浓度，降低P型衬底硅与背面金属的接触电阻。 

通过图3我们可以看出传统背面金属化结构中，伏安特性曲线表现出轻微的整流接触特性，而本发明提出的P型硅衬底背面金属化的制作方法形成的结构其伏安特性曲线表现为良好的欧姆接触特性。 

应该理解到的是，上述实施例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，均落入本发明保护范围之内。