[发明专利]铟吸附剂、铟吸附剂的制造方法以及铟吸附方法

说明书

相关申请的引用 

本申请包含涉及在2009年9月15日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2009-213044中披露的主题，将其全部内容并入本文作为参考。 

技术领域

本发明涉及一种铟吸附剂。更具体而言，本发明涉及一种由具有关于铟的模板结构的聚合物材料构成的铟吸附剂。 

背景技术

随着近来液晶技术的快速发展，对于被用作液晶的透明导电膜的ITO(氧化铟锡)的需求显著提高。使用ITO靶材料作为用于ITO膜的材料。在相关技术中，已经提出了一些铟回收方法，其中，ITO靶废料等被用作原料。 

例如，日本专利公开第HEI 08-091838号(在下文中，称作专利文献1)披露了一种制造氧化铟的方法，包括：利用硝酸浸出铟含有物以获得硝酸铟溶液的第一步骤；用有机溶剂从在第一步骤中获得的硝酸铟溶液中提取铟离子，并对所获得的提取物进行反萃取，从而获得铟水溶液的第二步骤；以及水解在第二步骤中所获得 的铟水溶液，并焙烧所获得的氢氧化铟，从而获得氧化铟的第三步骤。 

此外，日本专利公开第2000-169991号(在下文中，称作专利文献2)披露了一种铟回收方法，包括：利用盐酸溶解铟含有物的溶解步骤；通过向其中添加碱来中和所获得的溶液，并使溶液中的预定金属离子沉淀从而被去除的中和步骤；利用硫化氢气体吹入所获得的中和溶液，并使在随后的电解步骤中有害的金属离子作为硫化物析出从而被去除的硫化步骤；以及进行铟金属的电解提取的步骤。 

此外，日本专利公开第2002-69684号(在下文中，称作专利文献3)披露了一种铟回收方法，包括以下步骤：利用盐酸溶解ITO含铟废料，以获得氯化铟溶液；向氯化铟溶液中添加氢氧化钠溶液，从而将废料中所包含的锡作为氢氧化亚锡去除，并进一步添加氢氧化钠溶液，以获得氢氧化铟；过滤氢氧化铟，并且此后，添加硫酸以获得硫酸铟；以及进行铟的电解提取。 

另一方面，与本发明相关，具有模板结构的聚合物材料已知作为用于有效地吸附某种类型的被吸附靶物质的载体。通过制备具有关于被吸附靶物质或其一部分的模板结构的聚合物，聚合物材料特异性吸附被吸附靶物质。 

例如，日本专利公开第2000-135435号(在下文中，称作专利文献4)披露了一种具有关于雌激素化合物或雌激素类物质的模板结构的聚合物分离剂。专利文献4描述了可以通过已知的方法来制造聚合物分离剂(参见，专利文献4中的0011段)。此处已知的方法是指将作为吸附靶的雌激素化合物等(模板客体(template guest))与聚合性单体混合从而被聚合并且此后去除模板客体从而形成具有关于客体化合物的模板结构的聚合物的一种方法。 

发明内容

通过在专利文献1中所披露的方法，可以由ITO废料材料等制造高纯度无机酸铟水溶液。但是，在所述方法中，使用溶剂萃取法，其中，需要重复进行萃取和反萃取的复杂工艺，并且由于使用昂贵的溶剂引起成本问题。而且，在专利文献2和3中所披露的方法中，为了分离和回收铟需要使用较大量的各种酸、碱或有机溶剂。 

此外，这些现有技术的方法使用由未使用的ITO靶材料或对于溅射装置附着物质来回收铟的技术，并且很难从使用后的靶材料或在制造工艺中诸如玻璃基板等的缺陷产品来回收铟。特别地，存在这样的问题，即，在从对于溅射装置附着物质来回收铟的过程中，从溅射装置或室擦除掉附着物质，因此，同时在其中混入了杂质。 

此外，很难执行从导电膜或平板显示器的蚀刻液体废料中分离、回收或再利用铟。需要这样的技术，从中回收高纯度铟从而作为具有高市场价值的物质来再利用高纯铟。 

鉴于上述情况，期望提供一种低成本并且容易分离和回收高纯度铟的技术。 

根据本发明的实施方式，提供了一种包括具有关于铟的模板结构的聚合物材料的铟吸附剂，所述铟吸附剂具有相对于锌的2.0以上的铟吸附选择率。 

通过使具有结合了铟的羧基的亲水性聚合物吸收水溶性单体、交联剂和聚合引发剂的水溶液，聚合水溶性单体以获得聚合物，并对所获得的聚合物进行酸处理来获得铟吸附剂。 

在铟吸附剂中，期望亲水性聚合物具有20％以上的铟结合率，并且聚合物具有40wt％以下的水溶性单体的含有率。另外，期望水溶性单体和交联剂具有100∶1～1∶1的摩尔比率。 

根据本发明的另一个实施方式，提供了一种铟吸附剂制造方法，包括：使具有结合了铟的羧基的亲水性聚合物吸收水溶性单体、交联剂和聚合引发剂的水溶液，并且聚合水溶性单体以获得聚合物；以及对所获得的聚合物进行酸处理。