[发明专利]液晶显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010280067.7 申请日: 2007-07-13
公开(公告)号: CN101950111A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 金东奎 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;李丙林
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2007年7月13日,申请号为200710130697.4,申请名称为“液晶显示器及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器,更具体地说,涉及一种应用有阵列结构的滤色镜的LCD以及一种制造该LCD的方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)包括:下基板,其上形成有薄膜晶体管(TFT)、像素电极等;上基板,其上形成有共用电极等;以及液晶层,形成在下基板与上基板之间。当电压施加给这种LCD的像素电极和共用电极时,由于施加于两个电极之间的电势差,在液晶层中产生电场。液晶分子的排列根据电场强度而改变。液晶分子排列的改变使得穿过液晶层的光线的偏振发生改变,这导致透光性由于设置在基板外表面上的偏振器而发生改变。

在传统的LCD中,下基板上形成有TFT、像素电极等,而上基板上形成有滤色镜、黑色矩阵、共用电极等。但是,由于滤色镜和TFT形成在不同的基板上,因此这种LCD的制造过程复杂。已经提出使用一种被称为COA结构的结构,该结构在具有TFT阵列的相同基板上设置滤色镜。

在具有COA结构的LCD中,滤色镜可形成在有机绝缘薄膜(该有机绝缘薄膜形成在下基板上)的顶部上。可替换地,滤色镜可代替有机绝缘薄膜而单独形成。在滤色镜单独形成的情况下,滤色镜应当形成为比通常的光刻胶厚大约两倍或更多倍。由于滤色镜的介电常数与有机绝缘薄膜的介电常数类似,因此滤色镜形成为大约3.0μm的厚度,与有机绝缘薄膜的厚度相同。此外,与滤色镜形成在上基板上的传统LCD相反,当滤色镜形成在下基板上时,数据线用作黑色矩阵,并且相应的红色、绿色、以及蓝色滤色镜应当形成为与数据线相交迭,对于传统的LCD,其宽度被设计为大约10-15μm。

这种COA结构已经应用于S-PVA(超级图像垂直调整)显示装置。在S-PVA中,每个像素都被配置成具有两个副像素,并且差分电压(differential voltage)施加于各个副像素,以便提高侧面灰度环绕或反向,从而增强侧面可见性。在具有S-PVA结构的LCD中,两个晶体管和两个像素电极设置在用于显示一种颜色的像素区域中。为了缓和侧面可见性失真现象,使用将不同的峰值电压施加至各个像素电极的方法,具有S-PVA结构的LCD自然地显示灰度。

在使用COA和S-PVA结构的LCD中,滤色镜没有形成在下基板的存储电极的顶部上。因此,只有保护薄膜和栅极绝缘薄膜存在于存储电极的这种区域中,这两个薄膜在像素电极与存储电极之间形成存储电容器的电介质。

使用COA和S-PVA结构的LCD的滤色镜形成为具有3μm或更大的厚度。但是,由于用于图样化像素电极的光刻胶形成为比滤色镜薄,因此光刻胶的厚度在形成有滤色镜的区域与没有形成滤色镜的区域之间的边界处迅速改变。形成在这种阶梯部中的光刻胶在曝光过程期间不能被正常曝光,并且在光刻胶显影过程中,该光刻胶不能被完全去除。当光刻胶残留在滤色镜的阶梯部中时,用于形成像素电极的导电层残留在随后的像素电极的湿蚀刻过程中。因此,存在的问题是,由于导电层残留在形成有滤色镜的区域与没有形成滤色镜的区域之间的阶梯部中,因此两个副像素彼此短路。

发明内容

根据本发明的一个方面,提供了一种液晶显示器,该液晶显示器能够防止副像素之间的短路。相反,滤色镜保留在存储电极顶部上的两个副像素之间的边界部中,这样当形成像素电极时,用于形成像素电极的导电层没有残留,从而防止了副像素之间的短路。

根据本发明的一方面,提供了一种LCD,包括:多条栅极线(gateline),形成在基板上;存储电极线,形成在栅极线之间;多条数据线,沿与栅极线相交的方向形成;滤色镜,形成在像素中,该像素被限定在栅极线和数据线的相交区域处;以及第一和第二像素电极,形成在滤色镜的顶部上,并且彼此隔开,该滤色镜保留在存储电极线上的第一和第二像素电极之间的边界内,并在形成有第一和第二像素电极的位置被去除。

该LCD可进一步包括至少一个切掉图样,该切掉图样用于在单位像素中形成多个区域,并将第一和第二像素电极彼此隔开。

该LCD可进一步包括:栅电极,形成为突出于栅极线;活性和欧姆接触层,形成在栅电极的顶部上;源极,形成为从数据线延伸,并部分地与栅电极相交迭;以及漏极,形成为部分地与栅电极相交迭,并连接于像素电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010280067.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top