[发明专利]一种铜制程等离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010280097.8 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403219A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;刘志强;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜制 等离子 刻蚀 方法 | ||
1.一种铜制程等离子刻蚀方法，包括：
放置基片到等离子反应腔的基座，其中基片上包括含铜材料层和覆盖在含铜材料层上的含硅绝缘层，含硅绝缘层上覆盖有图形化的掩膜层；
通过供气装置向反应腔供应刻蚀气体和氧化性气体并对含硅绝缘层进行刻蚀；
侦测到含铜材料层暴露时停止刻蚀，其中氧化性气体的气体流量大于刻蚀气体流量的3/10。
2.如权利要求1所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体选自O2，CO2，N2O，O3之一或者其混合物，刻蚀气体选自CF4。
3.如权利要求1所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述图形化掩膜层是有机材料制成。
4.如权利要求2所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体为O2，O2其气体流量小于刻蚀气体流量的1/2。
5.如权利要求2所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体是CO2，CO2其气体流量小于刻蚀气体流量的3/4。
6.一种铜制程等离子刻蚀方法，包括：
放置基片到等离子反应腔的基座，其中基片上包括含铜材料层和覆盖在含铜材料层上的含硅绝缘层，含硅绝缘层上覆盖有图形化的掩膜层；
通过供气装置向反应腔供应刻蚀气体和氧化性气体并对含硅绝缘层进行刻蚀；
判断含铜材料是否暴露，当含铜材料层暴露时停止刻蚀；
其中该图形化掩膜层是无机材料制成，氧化性气体的气体流量大于刻蚀气体流量的1/6。
7.如权利要求7所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气 体的气体流量小于刻蚀气体流量的1/4。
8.如权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体选自O2，CO2，N2O，O3之一或者其混合物，刻蚀气体是氟碳化合物。
9.一种铜制程等离子刻蚀方法，包括：
放置基片到等离子反应腔的基座，其中基片上包括含铜材料层和覆盖在含铜材料层上的含硅绝缘层，含硅绝缘层上覆盖有图形化的掩膜层；
通过供气装置向反应腔供应刻蚀气体C4F8和氧化性气体并对含硅绝缘层进行刻蚀，
侦测到含铜材料层暴露时停止刻蚀，其中氧化性气体的气体流量大于刻蚀气体流量的1倍小于2.5倍。
10.如权利要求9所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体是O2，O2其流量大于C4F8流量的1倍小于2倍。
11.如权利要求9所述的铜制程等离子刻蚀方法，其特征在于，所述氧化性气体是CO2，CO2其流量大于C4F8流量的1.5倍小于2.5倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司，未经中微半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010280097.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种管道专用注塑机油缸电磁屏蔽装置
- 下一篇：一种便携厕所装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
