[发明专利]显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种显示器，包括：

基板主体；

位于所述基板主体上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括顺次堆叠在彼此顶部的氧化物半导体层和金属氧化物膜。

2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述薄膜晶体管进一步包括：

栅极，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜顺次堆叠在所述栅极上，并且所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘；以及

源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的多个开口与所述氧化物半导体层相接触。

3.根据权利要求1所述的显示器，其中所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度相同，并且所述氧化物半导体层与所述金属氧化物膜彼此重叠，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的长度都沿着所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的各自的最外面边缘之间的第一方向测得。

4.一种显示器，包括：

基板主体；

位于所述基板主体上的栅极；

位于所述栅极上的栅绝缘层；

位于所述栅极上的氧化物半导体层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导体层之间；

直接位于所述氧化物半导体层上的金属氧化物膜，包括暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开口；以及

源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的开口与所述氧化物半导体层相接触。

5.根据权利要求4所述的显示器，进一步包括位于所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间的层间绝缘层。

6.根据权利要求5所述的显示器，其中所述层间绝缘层具有暴露所述氧化物半导体层的部分的多个接触孔，所述多个接触孔与所述金属氧化物膜中的开口对准。

7.根据权利要求4所述的显示器，其中：

所述氧化物半导体层的长度被限定在所述氧化物半导体层的两个第一最外面边缘之间，以及

所述金属氧化物膜的长度被限定在所述金属氧化物膜的两个第二最外面边缘之间，所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度相同，并且第一最外面边缘与相应的第二最外面边缘对准。

8.根据权利要求4所述的显示器，其中所述金属氧化物膜的部分以及所述金属氧化物膜的开口中所述源极和漏极的部分被布置为与所述氧化物半导体层完全重叠。

9.根据权利要求4所述的显示器，其中所述氧化物半导体层包括氧以及镓、铟、锌、铪和锡中的一种或多种。

10.根据权利要求4所述的显示器，其中所述金属氧化物膜包括铝、钼、镍、银、铬、钛、钽及其合金中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的显示器，其中所述金属氧化物膜具有到的厚度。

12.一种制造显示器的方法，所述方法包括：

在基板主体上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜；

氧化所述金属膜以形成金属氧化物膜，使得所述金属氧化物膜直接位于所述氧化物半导体层上；

图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜以具有相同的形状；

去除所述金属氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开口；以及

形成彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的开口与所述氧化物半导体层相接触的源极和漏极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜包括在真空环境下连续沉积所述氧化物半导体层和所述金属膜。

14.根据权利要求12所述的方法，其中图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜包括通过刻蚀工艺连续图案化所述金属氧化物膜和所述氧化物半导体层。

15.根据权利要求12所述的方法，其中图案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜包括布置图案化后的氧化物半导体层和金属氧化物膜中的每一个的至少一部分与所述栅极重叠。

16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间形成层间绝缘层。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括形成通过所述层间绝缘层的多个接触孔，所述多个接触孔和所述金属氧化物膜中的多个开口通过刻蚀工艺连续形成。