[发明专利]一种高阻值金属氧化膜电阻及其制作方法

权利要求书

1.一种高阻值金属氧化膜电阻，包括一陶瓷基体(1)、形成在所述陶瓷基体(1)上的皮膜(2)、位于陶瓷基体(1)两端的铁帽(3)以及引线(4)，其特征在于：所述皮膜(2)包括内层皮膜(21)和外层皮膜(22)，其中内层皮膜(21)由靶材通过真空直流溅射形成，外层皮膜(22)由靶材通过离子电源加射频溅射形成。

2.根据权利要求1所述的一种高阻值金属氧化膜电阻，其特征在于：所述靶材的原料为含镧系和锕系稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材，其具体成分为Si(35％-72％)、Cr(25％-50％)、Ni(2％-20％)，稀土元素Re含量为三元素总重量的0.1％-3％。

3.一种高阻值金属氧化膜电阻的制作方法，其特征在于：该制作方法包含如下步骤：

a、配制靶材：按配方Si(35％-72％)、Cr(25％-50％)、Ni(2％-20％)配制基础成分，再加入上述三元素总重量0.1％-3％的稀土元素Re；

b、真空直流溅射：在真空度2×10^-3-5×10^-3Pa、溅射功率200-500W的条件下进行直流溅射，持续时间20-200分钟，在陶瓷基体上形成内层皮膜；

c、射频溅射：在氩气和氧气混合气体、气压为1×10^-3-3×10^-3Pa，溅射功率为400-600W的条件下进行射频溅射，持续时间为10-20分钟，在内层皮膜外形成外层皮膜；

d、对经过上述步骤所得的电阻器毛坯在300-500℃下进行热处理；

e、按常规工序进行加工处理，制得高阻值金属氧化膜电阻器。

4.根据权利要求3所述的一种高阻值金属氧化膜电阻的制作方法，其特征在于：所述步骤c中氩气与氧气的体积比为9∶1。