[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在晶片的内部沿第一间隔道和第二间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其中所述晶片构成为：在蓝宝石基板的表面层叠有由氮化物半导体构成的发光层，并且在通过沿预定方向延伸的多条第一间隔道和与所述多条第一间隔道交叉地形成的多条第二间隔道划分出的多个区域内形成有光器件。

背景技术

在光器件的制造工序中，在蓝宝石基板的表面层叠由氮化物半导体构成的发光层(外延层)，并且在通过沿预定方向延伸的多条第一间隔道和与所述多条第一间隔道交叉地形成的多条第二间隔道划分出的多个区域内形成光器件。该形成有多个光器件的晶片通过沿第一间隔道和第二间隔道切断而被分割成一个个发光二极管等光器件，并且被广泛地利用于电气设备。

这样的晶片的沿着间隔道的切断通常通过使环状的切削刀具高速旋转来进行切削的切削装置来进行。但是，由于蓝宝石基板是莫氏硬度很高的难切削材料，所以需要降低加工速度，存在生产效率差的问题。

近年来，作为沿间隔道分割晶片的方法，提出有这样的方法：通过沿间隔道照射相对于晶片具有吸收性的脉冲激光光线来形成激光加工槽，通过沿该激光加工槽施加外力来进行断裂(例如，参照专利文献1)。

但是，若沿着形成于蓝宝石基板的表面的间隔道照射激光光线来形成激光加工槽，则存在这样的问题：发光二极管等光器件的外周被烧蚀，亮度降低，从而光器件的品质降低。

为了消除这样的问题，下述专利文献2中公开了这样的蓝宝石基板的加工方法：将聚光点定位于蓝宝石基板的内部，从蓝宝石基板的未形成由氮化物半导体构成的发光层(外延层)的背面侧沿间隔道照射相对于蓝宝石基板具有透射性的波长的激光光线，从而在蓝宝石基板的内部沿着间隔道形成变质层，由此沿着形成有变质层的间隔道分割蓝宝石基板。

专利文献1：日本特开平10一305420号公报

专利文献2：日本特开2008-6492号公报

在上述专利文献2所公开的蓝宝石基板的加工方法中，虽然在一定程度上改善了光器件的亮度的降低，然而当将聚光点定位于蓝宝石基板的内部、从蓝宝石基板的背面侧沿间隔道照射相对于蓝宝石基板具有透射性的波长的激光光线时，存在以下问题：通过泄漏至由氮化物半导体构成的发光层(外延层)的激光光线，发光层受到破坏，从而使光器件的发光功能降低。

此外，关于在硅基板的表面层叠IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large-scale Integration：大规模集成电路)等器件而形成的半导体晶片，在将聚光点定位于硅基板的内部从半导体晶片的背面侧沿间隔道照射相对于硅基板具有透射性的波长的激光光线、由此在硅激光的内部沿着间隔道形成变质层的情况下，也存在由于泄漏至器件层的激光光线而使得器件受到破坏的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种能够在不对形成于基板表面的器件层造成破坏的情况下在基板的内部沿着间隔道形成变质层的晶片的加工方法。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其是在晶片的内部沿间隔道形成变质层的晶片的加工方法，其中，所述晶片构成为：在基板的表面层叠有器件层，并且在通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域内形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包括以下工序：

第一变质层形成工序，在该第一变质层形成工序中，将聚光点定位于基板的内部，从基板的背面侧沿间隔道照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，由此在基板的内部沿间隔道形成第一变质层；以及

第二变质层形成工序，在实施了所述第一变质层形成工序后，在该第二变质层形成工序中，将聚光点定位于所述第一变质层的上侧，从基板的背面侧沿间隔道照射相对于基板具有透射性的波长的激光光线，由此在基板的内部沿间隔道以层叠于所述第一变质层的方式形成第二变质层，

所述第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定成：比所述第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度要低、而且处于能够在基板中加工出变质层的下限附近。

在基板为蓝宝石基板的情况下，所述第一变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定为3～12J/cm²，所述第二变质层形成工序中照射的激光光线的能量密度设定为100～400J/cm²。